Статья Полупроводниковая микроэлектроника — 2023 г. Часть 1. Широкозонные полупроводники раздвигают горизонты достигнутого
Опубликована статья Дмитрия Боднаря, к. т. н., генеральный директор, АО «Синтез Микроэлектроника»
Широкозонные полупроводники (ШЗП) развиваются стремительными темпами, заметно превосходящими исторические этапы эволюции кремния. Мировой рынок полупроводниковых продуктов карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN) устойчиво растет даже во время мирового кризиса, и новые горизонты применения ШЗП появляются ежегодно. Продолжается вертикальная интеграция производства в крупных мировых компаниях и увеличение производственных мощностей ШЗП. Новые технологии 3DGaN FinFET, алмаза, оксида галлия открывают перспективы для будущих продуктов ШЗП.
