Tabish Khan, AWR Group
10:00-11:00 Обзор NI AWR Design Environment: инновации и пример маршрута проектирования многокристального модуля на низкотемпературной керамике (LTCC)
Tabish Khan, AWR Group, NI (на английском языке с последовательным переводом на русский)
Обзор NI AWR Design Environment: инновации и пример маршрута проектирования многокристального модуля на низкотемпературной керамике (LTCC)
В данной презентации будет дан краткий обзор мощных инновационных технологий, лежащих в основе последней версии NI AWR Design Environment, предназначенных для разработки СВЧ монолитных интегральных схем, печатных плат и модульных проектов. Особое внимание будет уделено особенностям и функционалу программного обеспечения NI AWR, делающим его уникальным продуктом для решения самых сложных задач проектирования РЧ/СВЧ устройств. Помимо прочего, будут представлены отдельные нововведения предстоящего релиза версии 14.
11:00-11:45 ООО “Питер Софт” / AVK Design Team: Примеры разработки многофункциональных монолитных интегральных схем СВЧ с использованием ПО NI AWR Design Environment — просто о “сложном”
Алексей Кондратенко, AVK Design Team (на русском языке)
Любое сложное состоит из набора простого. Руководствуясь данной концепцией, разработчики ООО “Питер Софт” / AVK Design Team готовы на реальных примерах продемонстрировать достаточно простые и эффективные подходы к разработке многофункциональных схем в интегральном исполнении с использованием мощной системы автоматизированного проектирования AWR Design Environment V13 с широкими функциональными возможностями. В докладе будут представлены несколько примеров GaAs монолитных интегральных схем управления амплитудой и фазой сигнала Х-диапазона частот, разработанных на основе технологических процессов фабрик WIN Semiconductors и OMMIC.
11:45-12:30 Полупроводниковые процессы для создания элементной базы Х-диапазона частот
Terence Lin, WIN Semiconductors (на английском языке с последовательным переводом на русский)
WIN Semiconductors, фабрика модели “pure play”, предлагает различные полупроводниковые процессы для создания элементной базы Х-диапазона частот для различных связных и радиолокационных приложений. Сюда можно отнести GaN HEMT процесс, транзисторы которого характеризуются длиной затвора 0.25 мкм и номинальным напряжением питания 28 В; GaAs E-mode pHEMT процесс, транзисторы которого характеризуются длиной затвора 0.25 мкм и работают в режиме обогащения; PIN — диодный процесс, а также процесс изготовления пассивных элементов, рассчитанных на работу при высоких уровнях напряжения (HV IPD). Для использования заказчиками обозначенных выше процессов (NP25-00, PD25-00 и IP3M-00) фабрика WIN предоставляет соответствующие библиотеки элементов, ориентированные на новейшую 64-разрядную версию САПР NI AWR Microwave Office. Кроме того, фабрика предлагает круглосуточный онлайн сервис проверки правильности прорисовки топологий. Помимо прочего, WIN предлагает услуги по различным измерениям (параметров рассеяния, load-pull, шумовых параметров) для верификации используемых моделей и характеризации разработанных микросхем.
12:30-13:15 Продвинутые процессы моделирования РЧ/СВЧ устройств на системном уровне
Tony Gasseling, AMCAD Engineering (на английском языке с последовательным переводом на русский)
Растущая отрасль телекоммуникаций заставляет исследователей находить новые методы и технологии создания современных и перспективных передающих систем. Технические требования к мощности и рабочей полосе, а также появление методов интеллектуальной передачи данных увеличили спрос на инструменты быстрого и точного моделирования для анализа, оптимизации и проектирования СВЧ систем. В данной презентации будет рассмотрена непрерывная модель двухканальной памяти с уникальными параметрами генерализации, способная эффективно записывать поведение схем, включая эффекты памяти, в широком диапазоне входных сигналов. Эта модель описывается двумя типами ядер: одноканальным ядром краткосрочной памяти и двухканальным ядром долгосрочной памяти. Если идентификация ядра краткосрочной памяти хорошо отработана, то ядро долгосрочной памяти идентифицировать сложнее, что является наибольшей проблемой при поиске оптимальной конфигурации системы. Технология моделирования, представленная в презентации, учитывает эффекты памяти (широкополосная модуляция) и обеспечивает объединение различных моделей схемы в одну макромодель глобальной подсистемы для увеличения точности системного моделирования и верификации параметров.
13:15-14:00 Проектирование ФАР 2х2 Х-диапазона и моделирование в составе приёмопередающего модуля на основе LTCC
Tabish Khan, AWR Group, NI (на английском языке с последовательным переводом на русский)
Проектирование ФАР 2х2 Х-диапазона и моделирование в составе приёмопередающего модуля на основе LTCC В данной презентации будет рассмотрен проект фазированной антенной решётки 2х2 элемента и приёмопередающего модуля для частотного диапазона 8-12 ГГц. Модуль построен на технологии LTCC и включает в себя МИС усилителя мощности и малошумящего усилителя, а также несколько моделей от производителей и пассивные компоненты (например, фильтры). Весь маршрут проектирования будет продемонстрирован в NI AWR Design Environment, при этом для моделирования на системном уровне используется модуль Visual System Simulator™ (VSS), для работы со схемой и топологией – Microwave Office, а для электромагнитного анализа межсоединений и проволочных контактов – симуляторы AXIEM и Analyst™.