Образцы доступны в настоящее время, серийное производство начнется в сентябре 2015 г. МК SAM L21 предназначены для использования в системах батарейного питания, в т.ч. для интернета вещей.
Ток потребления МК SAM L21 в активном режиме не превышает 35 мкА/МГц. Для сохранения 32 Кбайт данных в ОЗУ необходимо, чтобы устройство потребляло ток 900 нА. В МК предусмотрены четыре режима пониженного энергопотребления: режим малого потребления (idle); режим ожидания (standby); режим резерва (backup) и выключение (off). В МК поддерживается фирменная технология SleepWalking, позволяющая периферии пробуждаться по заранее установленным событиям. Это очень удобно, т.к. выполняется ряд операций, например, прямой доступ к памяти без пробуждения всего МК, а также осуществляется пробуждение ядра только при необходимости.
В SAM L21 предусмотрены два уровня производительности (PL0 и PL2), благодаря которым выбирается пониженное напряжение питания и соответствующая тактовая частота. Имеется возможность отключать отдельные логические блоки; при этом их логические уровни на момент отключения запоминаются.
Перечислим наиболее важные параметры помимо представленных в таблице 1.
· Процессор: ARM Cortex-M0+, тактовая частота 48 МГц.
· Возможны внешние и внутренние источники тактирования.
· 16 источников внешних прерываний.
· Векторный контроллер прерываний поддерживает до 32 линий прерывания с четырьмя уровнями приоритетов.
· Одно немаскируемое прерывание.
· Поддержка батарейного резервирования питания.
· Встроенный LDO-регулятор.
· 16-канальный прямой доступ к памяти.
· 12-канальный контроллер событий.
· До пяти 16-разрядных таймеров/счетчиков (ТС), в т.ч. один ТС с малым энергопотреблением.
· 16-разрядный и два 24-разрядных таймера/счетчика управления (ТСС).
· 32-разрядный таймер реального времени с функциями календаря.
· Сторожевой таймер.
· 32-разрядный циклический контроль избыточности кода.
· Полноскоростной (12 Мбит/с) USB2.0.
· До шести последовательных конфигурируемых портов: USART (дуплексный или полудуплексный при однопроводной конфигурации); I2C (до 3,4 МГц); SPI; LIN (ведомый).
· Встроенная защита данных AES.
· Генератор случайных чисел.
· Конфигурируемая логика.
· 12-разрядный АЦП с производительностью 1 Мвыб/с, автоматической регулировкой усиления и компенсацией смещения, с дифференциальными и несимметричными входами.
· 12-разрядный ЦАП с двумя выходами и производительностью 1 Мвыб/с.
· Два аналоговых компаратора.
· Три операционных усилителя.
· Осцилляторы:
— внешние: 32, 768 кГц и 0,4–32 МГц.
— встроенные: 32,768 кГц; 32,768 кГц с очень малым потреблением; прецизионный 16/12/8/4 МГц; 48 МГц; 96 МГц с цифровой ФАПЧ.
· До 51 программируемых ввода–вывода.
· 32-разрядная внутренняя шина данных с переключателем crossbar.
· Напряжение питания: 1,62–3,63 В.
· Диапазон рабочих температур: –40…85°С.
Таблица 1. Основные различия между группами МК семейства SAM L21
|
SAM L21J |
SAM L21G |
SAM L21E |
Число выводов/тип корпуса |
64 /TQFP64, QFN64 |
48/TQFP48, QFN48 |
32/TQFP32, QFN32 |
Объем флэш-памяти, Кбайт |
64–256 |
64–256 |
32–256 |
Объем SRAM, Кбайт |
8–32 |
8–32 |
4–32 |
Порты последовательного интерфейса |
6 |
6 |
4 |
Каналы АЦП |
20 |
14 |
10 |
Контроллер сенсорных датчиков (PTC), X×Y линий |
12×16 и 16×12 |
8×12 и 12×8 |
6×10 и 10×6 |