Micron и Intel сегодня объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек памяти.
· Технология 3D NAND использует ячейки с плавающим затвором и позволяет создавать флеш-накопители с самым высоким уровнем плотности размещения ячеек, обеспечивая в 3 раза более высокую емкость1 по сравнению с другой памятью NAND.
· Новая разработка позволяет создавать твердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки емкостью более 3,5 ТБайт и стандартные твердотельные накопители форм-фактора 2,5 дюйма емкостью более 10 ТБайт.
· Новая методика проектирования позволяет сохранить актуальность закона Мура для флеш-накопителей, повышая плотность размещения и снижая стоимость памяти NAND.
Новая технология 3D NAND, совместно разработанная Intel и Micron*, с высочайшим уровнем точности размещает слои ячеек для создания решений хранения данных, которые будут иметь в 3 раза большую емкость по сравнению с устройствами на базе технологии NAND. Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах, что дает возможность реализовать преимущества снижения расходов и энергопотребления и повышения производительности как для потребительских мобильных устройств, так и ресурсоемких корпоративных сред.
Планарная флеш-память NAND практически уже достигла максимальных возможностей для масштабирования, что создает значительные сложности для отрасли производства памяти. Технология 3D NAND позволит флеш-продукции развиваться в соответствии с законом Мура, что даст возможность на протяжении длительного времени увеличивать ее скорость работы, сокращать расходы и более широкого использовать флеш-память.
Технология 3D NAND имеет большой потенциал для того, чтобы коренным образом изменить рынок памяти». Преимущества более высокой плотности и экономии, обеспечиваемые нашей новой технологией 3D NAND, ускорят внедрение твердотельных решений для хранения данных».
Инновационная архитектура технологического процесса
Одним из наиболее важных аспектов этой технологии является разработка принципиально новых ячеек памяти. Intel и Micron* выбрали ячейки с плавающим затвором, универсальную технологию, которая на протяжении многих лет использовалась при массовом производстве планарной флеш-памяти. Этот проект стал первым примером использования ячеек с плавающим затвором для трехмерной памяти на базе технологии 3D NAND. Кроме того, такой подход обеспечил более высокую производительность, качество и надежность.
Новая технология 3D NAND создает 32 слоя ячеек памяти, что позволяет обеспечить 256 Гбит для типа MLC и 384 Гбит для типа TLC. Увеличенная емкость дает возможность создавать твердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки с более чем 3,5 ТБайт для хранения данных и стандартные твердотельные накопители формата 2,5 дюйма, на которых можно хранить более 10 ТБайт данных. Т.к. более высокая емкость обеспечивается за счет установки ячеек друг на друга, размеры отдельных ячеек могут быть значительно больше. Предполагается, что это позволит увеличить производительность и срок службы и в будущем использовать технологию TLC в центрах обработки данных.
Основные характеристики продукции на базе технологии 3D NAND:
· Увеличенная емкость. В 3 раза более высокая емкость по сравнению с существующей технологией 3D 1 – до 48 ГБайт памяти NAND на кристалл – для реализации 75% одного терабайта емкости в корпусе размером с палец.
· Более низкая стоимость на 1 ГБайт. Первое поколение памяти 3D NAND спроектировано таким образом, чтобы обеспечить более высокую экономическую эффективность по сравнению с планарной памятью NAND.
· Высокая скорость работы. Большая пропускная способность для операций чтения/записи, высокая скорость операций ввода/вывода и высокая производительность при операциях чтения в произвольном режиме.
· Низкое энергопотребление. Новые режимы ожидания обеспечивают низкое энергопотребление за счет обесточивания неиспользуемых кристаллов памяти NAND (даже если другой кристалл в корпусе используется).
· Интеллектуальный дизайн. Инновационные функции снижают латентность и увеличивают срок службы по сравнению с предыдущими поколениями продукции, что значительно упрощает интеграцию.
MLC-версия (256 Гбит) памяти 3D NAND уже поставляется отдельным партнерам в виде образцов, а тестовые поставки TLC-версии (384 Гбит) начнутся уже весной. Пробные пуски производственной линии уже начались, серийное производство новой продукции запланировано на IV кв. этого года. Компании также разрабатывают собственные линии для производства твердотельной продукции на базе технологии 3D NAND. Предполагается, что эта продукция выйдет на рынок в следующем году.