ACNT-H511 отличается широким диапазоном значения тока утечки, изолирующим зазором 15 мм и высокой электрической прочностью изоляции.

В состав ACNT-H511 входит специальный изолирующий слой между фотодиодом и фотодетектором, что обеспечивает высокий уровень изоляции между входом и выходом компонента. Независимое подключение вывода смещения фотодиода и коллектора выходного транзистора ACNT-H511 позволяет увеличить скорость передачи данных до 100 раз по сравнению с обычными фототранзисторными оптронами за счет меньшей емкости база–коллектор.

ACNT-H511C в корпусе SO-8 предназначен для применения в управляющих цепях высоковольтных систем, к которым относятся электроприводы, солнечные инверторы, системы хранения энергии для железнодорожной инфраструктуры, а также в медицинском оборудовании.

Характеристики:

• CTI: ≥ 600 В;

• совместимость с уровнями сигналов TTL-логики;

• выход с открытым коллектором;

• диапазон рабочей температуры: –40…105°C;

• диапазон напряжения питания V_СС: 4,5–24 В;

• 8-выводной корпус SOIC (SO-8) шириной 15 мм;

• внутренний зазор (DTI): 0,5 мм;

• коэффициент ослабления синфазного сигнала (CMR) при напряжении сигнала V_CM = 1500 В: 40 кВ/мкс;

• соответствие международным стандартам безопасности;

•         электрическая прочность изоляции V_ISO (мин.) при T_A = 25ºС: 7500 В согласно UL1577;

•         рабочее напряжение изолирующего барьера V_IORM = 2262 В (пик.) и максимально допустимая динамическая перегрузка по напряжению V_IOTM = 12000 В (пик.) согласно IEC/EN 60747-5-5;

•         CSA.