SiCMOSFET на 1700 В от компании Microchip
Замените кремниевые IGBT новыми самыми надежными в отрасли SiCMOSFET на 1700 В Ассортимент карбидокремниевых изделий с кристаллами 1700-В MOSFET, дискретные приборы и силовые модули позволяют увеличить эффективность и удельную мощность проектируемых приложений ЧАНДЛЕР (шт. Аризона), 27 июля 2021 г. Все современные энергоэффективные электрические зарядные системы, предназначенные для питания силовых установок коммерческого автотранспорта, а…