Моделирование в системе TCAD процесса формирования LDD-областей субмикронных КНИ МОП-транзисторов
Введение Проектирование современных СБИС, производимых по технологии с субмикронными размерами элементов, требует особого внимания к физическим особенностям процессов, протекающих в ее базовых структурах и влияющих на их функциональные параметры. К таковым для МОП-транзисторов можно отнести зависимость их порогового напряжения от длины и ширины канала, явление индуцирования тока утечки стока напряжением на затворе, а также эффект…
