Характеристики мощных СВЧ-фотодиодов с барьером Шоттки на основе InAlAs/InGaAs/InP гетероструктур Журавлев К.С., Валишева Н.А., Аксенов М.С., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Гилинский А.М., Чистохин И.Б., Малышев С.А., Чиж А.Л., Микитчук К.Б. Институт
Чувствительность фотодиодов различного диаметра с поглощающим слоем InGaAs толщиной 640 нм составляет не менее 0.55 А/Вт. Для фотодиодов Шоттки с диаметром 15 мкм предельная частота равна 28 ГГц, максимальная выходная СВЧ-мощность на частоте 20 ГГц составила величину 58 мВт. Ключевые слова: СВЧ-фотодиод, 1.55 мкм, InAlAs/InGaAs/InP, барьер Шоттки, ВАХ, чувствительность, СВЧ-мощность. 1. Введение В аналоговых волоконно-оптических линиях и системах радиофотоники требуются мощные…