Интерпретация и подтверждение динамических характеристик для технических описаний силовых WBG-устройств

Интерпретация и подтверждение динамических характеристик для технических описаний силовых WBG-устройств   Рё Такеда (Ryo Takeda), разработчик архитектуры решений, Keysight Бернард Хольцингер (Bernhard Holzinger), технический архитектор систем, Keysight Михаэль Циммерман (Michael Zimmerman), разработчик, Keysight Майк Хос (Mike Hawes), консультант по силовому оборудованию, Keysight www.bodospower.com   С появлением приборов с широкой запрещенной зоной (WBG) прежние методы и…

Целесообразность перехода с Si-технологии на SiC

Рене Мент (René Mente), ведущий инженер по приложениям, Infineon Technologies   По мере того как карбидокремниевые устройства получают все большее распространение в низковольтных приложениях, необходимо четко понимать, в каких случаях разумнее использовать SiC MOSFET вместо кремниевых ключей. ПДФ версия   Эффективность импульсных источников питания увеличилась благодаря использованию классической кремниевой (Si) технологии MOSFET. Ее возможности возросли…