Замените кремниевые IGBT новыми самыми надежными в отрасли SiCMOSFET на 1700 В
Ассортимент карбидокремниевых изделий с кристаллами 1700-В MOSFET, дискретные приборы и силовые модули позволяют увеличить эффективность и удельную мощность проектируемых приложений
ЧАНДЛЕР (шт. Аризона), 27 июля 2021 г. Все современные энергоэффективные электрические зарядные системы, предназначенные для питания силовых установок коммерческого автотранспорта, а также вспомогательные системы энергопитания, солнечные инверторы, твердотельные трансформаторы, другие транспортные и промышленные приложения построены на основе высоковольтных силовых ключей. Чтобы удовлетворить требования этих приложений, компания MicrochipTechnology расширяет ассортимент SiC-изделий, анонсируя семейство высокоэффективных и высоконадежных кристаллов 1700-В SiCMOSFET, дискретных и силовых модулей.
1700-В SiC-технология компании Microchip является альтернативой кремниевым IGBT. Прежде разработчикам приходилось идти на компромисс между качеством системы и использованием сложных топологий из-за ограничений на величину коммутационной частоты кремниевых IGBT с потерями. Кроме того, массогабаритные показатели силовых электронных систем велики из-за трансформаторов, размеры которых можно сократить, увеличив частоту коммутации.
Карбидокремниевые изделия нового семейства позволяют выйти за рамки применения IGBT и воспользоваться двухуровневой топологией с меньшим количеством компонентов, большей эффективностью и упрощенными схемами управления. Массогабаритные показатели новых силовых модулей можно значительно уменьшить в условиях отсутствия ограничений на коммутационные частоты, освободив место для установки большего количества зарядных станций и платежных терминалов, увеличив дальность пробега и время работы большегрузных автомобилей, электробусов и других грузовых автомобилей с батарейным питанием. Приэтомсокращаетсяобщаястоимостьсистемы.
«Разработчикам транспортных систем приходится решать задачу по размещению большего количества людей и товаров в транспортных средствах, размеры которых невозможно увеличить, – заявил Леон Гросс (LeonGross), вице-президент подразделения дискретной продукции Microchip. – Одним из наилучших способов ее решить заключается в значительном уменьшении массогабаритных показателей силового оборудования, в котором используются высоковольтные карбидокремниевые приборы. Эти преимущества востребованы и во многих других отраслях».
К числу особенностей новых приборов относятся стабильность оксидного слоя затвора. Инженеры Microchip установили, что пороговое напряжение новинок не изменилось даже после 100 тыс. импульсов в тестах на многократное незамкнутое индуктивное переключение (R-UIS). Эти тесты, продемонстрировавшие превосходную устойчивость к лавинному пробою, параметрическую устойчивость и стабильность оксидного слоя затвора, доказывают надежное функционирование системы в течение всего ее срока службы.
Внутренний диод, не подверженный деградации, устраняет необходимость в использовании внешнего диода с SiCMOSFET. Устойчивость к короткому замыканию, сравнимая с устойчивостью IGBT, позволяет SiCMOSFET безотказно работать при переходных процессах. Более пологая кривая зависимости RDS(ON) от температуры перехода в диапазоне 0–175ºC повышает стабильность системы питания по сравнению с другими SiC MOSFET, которые более чувствительны к температуре.
Компания Microchip предлагает ускорить внедрение ее технологии, начиная с первых этапов разработки и заканчивая производством, с помощью цифровых программируемых драйверов затвора AgileSwitch®, широкого ряда корпусов для дискретных компонентов и силовых модулей, выпускаемых в стандартных и заказных форматах.
К другим карбидокремниевым компонентам Microchip относятся MOSFET и диоды Шоттки на 700 и 1200 В, выпускаемые как бескорпусные кристаллы, а также в корпусах как дискретные компоненты и силовые модули. Компания Microchip объединяет собственное производство SiC-кристаллов, их монтаж в низкоиндуктивные корпуса силовых приборов с изготовлением цифровых программируемых драйверов затвора, позволяя разрабатывать наиболее эффективные, компактные и надежные конечные изделия.
К системным решениям компании относятся микроконтроллеры (МК), аналоговые и периферийные устройства, а также коммуникационные решения, технологии беспроводной связи и безопасности.
Средства проектирования
SPICE-модели карбидокремниевых приборов, совместимые с аналоговым симулятором MPLAB® Mindi™ компании Microchip, позволяют моделировать коммутационные характеристики перед проектированием оборудования.
Средство ICT (IntelligentConfigurationTool) моделирует параметры цифровых программируемых драйверов затвора семейства AgileSwitch от Microchip.
Наличие
Кристаллы 1700-В MOSFETот Microchip, дискретные приборы и силовые модули уже доступны для заказав широком ассортименте корпусов.
МС1557
