SiC MOSFET IMZA65R027M1H семейства CoolSiC от Infineon
18 марта 2020 Основные параметры IMZA65R027M1H: Область безопасной работы MOSFET IMZA65R027M1H Основные параметры IMZA65R027M1H: · напряжение сток–исток: 650 В; · сопротивление открытого канала: 27 мОм; · пиковый ток (макс.): 184 А; · длительный ток стока при 25 и 100°C: 59 и 41 А; · устойчивость к изменению напряжения: 200 В/нс; · заряд затвора:…