Драйвер затвора 1SP0351V2D0C-T2000BB45G для управления 4500‑В IGBT с оптическим интерфейсом управляющих сигналов ввода/вывода от Power Integrations

Главная → Новости → Драйвер затвора 1SP0351V2D0C-T2000BB45G для управления 4500‑В IGBT с оптическим интерфейсом управляющих сигналов ввода/вывода от Power Integrations 19 апреля 2020 Основные параметры драйвера: Драйвер затвора 1SP0351V2D0C-T2000BB45G выходной ток (макс.): ±50 А; нормируемое напряжение управляемых IGBT: 4500 В; ток управляемых IGBT (макс.): 2000 А; напряжение питания первичной стороны: 15 В; рабочая частота: 2 кГц; задержка включения: 110…

Драйвер затвора 1SP0351V2D0C-T2000BB45G для управления 4500‑В IGBT с оптическим интерфейсом управляющих сигналов ввода/вывода от Power Integrations

Главная → Новости → Драйвер затвора 1SP0351V2D0C-T2000BB45G для управления 4500‑В IGBT с оптическим интерфейсом управляющих сигналов ввода/вывода от Power Integrations 19 апреля 2020 Основные параметры драйвера: Драйвер затвора 1SP0351V2D0C-T2000BB45G выходной ток (макс.): ±50 А; нормируемое напряжение управляемых IGBT: 4500 В; ток управляемых IGBT (макс.): 2000 А; напряжение питания первичной стороны: 15 В; рабочая частота: 2 кГц; задержка включения: 110…

N‑ канальный SiC MOS FET NTBG020N090SC 1 ON Semiconductor

20 апреля 2020 Основные параметры NTBG020N090SC 1: Область безопасной работы NTBG020N090SC1   нормируемое напряжение сток–исток: 900 В; максимальный длительней ток при 25°C и напряжении затвор-исток 10 В: 112 А; импульсный ток (пик.): 448 А; ток одиночного импульса (пик.): 854 А; энергия лавинного пробоя одиночного импульса: 1 мДж; сопротивление открытого канала: 28 мОм; общий заряд затвора:…

N‑ канальный SiC MOS FET NTBG020N090SC 1 ON Semiconductor

20 апреля 2020 Основные параметры NTBG020N090SC 1: Область безопасной работы NTBG020N090SC1   нормируемое напряжение сток–исток: 900 В; максимальный длительней ток при 25°C и напряжении затвор-исток 10 В: 112 А; импульсный ток (пик.): 448 А; ток одиночного импульса (пик.): 854 А; энергия лавинного пробоя одиночного импульса: 1 мДж; сопротивление открытого канала: 28 мОм; общий заряд затвора:…

Интеллектуальная защита NXP USB NX20P0477

20 апреля 2020 Основные параметры NX20P0477:   Структурная схема устройства NX20P0477 ток утечки: 14 мкА; перенапряжение: до 28 В; время срабатывания защиты по перенапряжению: 60 нс; выходной ток: ±350 мА; полоса частот: до 100 МГц; нагрузочная регулировочная характеристика: 0,2%; диапазон рабочей температуры: –40…125°C; корпус: WDFN‑ 6 (2.2 мм).  

Интеллектуальная защита NXP USB NX20P0477

20 апреля 2020 Основные параметры NX20P0477:   Структурная схема устройства NX20P0477 ток утечки: 14 мкА; перенапряжение: до 28 В; время срабатывания защиты по перенапряжению: 60 нс; выходной ток: ±350 мА; полоса частот: до 100 МГц; нагрузочная регулировочная характеристика: 0,2%; диапазон рабочей температуры: –40…125°C; корпус: WDFN‑ 6 (2.2 мм).  

N‑ канальный MOS FET IQE006NE2LM5 семейства OptiMOS 5 от Infineon

20 апреля 2020 Основные параметры IQE006NE2LM5: Область безопасной работы ключа IQE006NE2LM5   нормируемое нaпряжение сток–исток: 25 В; максимальный длительней ток при 25°C и напряжении затвор–исток 10 В: 298 А; максимальный длительней ток при 100°C и напряжении затвор–исток 10 В: 188 А; энергия лавинного пробоя одиночного импульса: 140 мДж; сопротивление открытого канала: 0,65 мОм; общий заряд…

N‑ канальный MOS FET IQE006NE2LM5 семейства OptiMOS 5 от Infineon

20 апреля 2020 Основные параметры IQE006NE2LM5: Область безопасной работы ключа IQE006NE2LM5   нормируемое нaпряжение сток–исток: 25 В; максимальный длительней ток при 25°C и напряжении затвор–исток 10 В: 298 А; максимальный длительней ток при 100°C и напряжении затвор–исток 10 В: 188 А; энергия лавинного пробоя одиночного импульса: 140 мДж; сопротивление открытого канала: 0,65 мОм; общий заряд…

3‑фазный мостовой модуль IGBT-инвертора FP25R12W1T7_B11 от Infineon

20 апреля 2020 Основные параметры модуля: Схема модуля FP25R12W1T7_B11 напряжение: 1200 В; длительный максимальный ток: 25 А; ток (пик.): 50 А; напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1,6–1,82 В в зависимости от температуры; заряд затвора: 395 нКл; входная емкость: 4,7 нФ; задержка на включение: 0,037–0,04 мкс в зависимости от температуры; время нарастания: 0,02–0,025 мкс в зависимости от температуры;…

3‑фазный мостовой модуль IGBT-инвертора FP25R12W1T7_B11 от Infineon

20 апреля 2020 Основные параметры модуля: Схема модуля FP25R12W1T7_B11 напряжение: 1200 В; длительный максимальный ток: 25 А; ток (пик.): 50 А; напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1,6–1,82 В в зависимости от температуры; заряд затвора: 395 нКл; входная емкость: 4,7 нФ; задержка на включение: 0,037–0,04 мкс в зависимости от температуры; время нарастания: 0,02–0,025 мкс в зависимости от температуры;…