Samsung начинает производство первой 512-гигабайтной памяти Universal Flash Storage для мобильных устройств нового поколения
Компания Samsung Electronics Co., Ltd. объявила о запуске серийного производства первой в отрасли 512-гигабайтной встроенной памяти Universal Flash Storage (eUFS), предназначенной для мобильных устройств нового поколения. Благодаря использованию новейших 64-слойных 512-гигабитных чипов V-NAND Samsung, новый пакет 512 ГБ eUFS обеспечивает непревзойденный объем памяти и превосходную производительность для новых смартфонов и планшетов топ-класса. Состоящая из восьми…