25 июня 2018
Новые MOSFET-транзисторы TK3R1P04PL (40 В), TK4R4P06PL (60 В) и TK6R7P06PL (60 В) выпускаются в компактном корпусе DPAK и идеально подходят для высокоэффективных схем преобразования мощности
Неизменной популярностью в промышленных приложениях пользуются корпуса DPAK, монтируемые на поверхность печатной платы. Компания Toshiba производит новые транзисторы именно в таких корпусах с изготовлением кристалла по новейшему высокочастотному низковольтному техпроцессу UMOS IX-H. Элемент этого процесса UMOS9 обладает превосходным компромиссным соотношением сопротивления открытого канала и выходного заряда: RDS(ON) * QOSS.
Отличительные особенности:
- Высокая частота переключения
- Низкий выходной заряд QOSS
- Превосходное соотношение сопротивления открытого канала и выходного заряда (RDS(ON) * QOSS)
- Максимальная рабочая температура перехода TJ: +175°C
- Поддержка логических уровней сигналов управления: 4,5 В
- Максимальное сопротивление открытого канала:
- TK3R1P04PL: 3.1 мОм (при токе стока 58 А и температуре +25ºC)
- TK4R4P06PL: 4.4 мОм (при токе стока 58 А и температуре +25ºC)
- TK6R7P06PL: 6.7 мОм (при токе стока 46 А и температуре +25ºC)
Область применения:
- DC/DC преобразователи с высоким КПД
- Импульсные источники питания
- Электроприводы