Вследствие стремительного роста популярности планшетных компьютеров, обусловленного успехом iPad, а также ожидаемого появления в 2011 году других простых и легких мобильных устройств со встроенным SSD, в частности смартбуков, рынок памяти DRAM и NAND в ближайший год претерпит существенные изменения.
2011 год, по всей видимости, станет годом NAND, а не DRAM. Планшетные компьютеры начали постепенно отбирать в свою пользу часть рынка ноутбуков и нетбуков более низкого класса. В такой ситуации ноутбуки с оперативной памятью менее 2 Гбайт будут, вероятно, менять на планшетные компьютеры, которые укомплектованы памятью всего 256 Мбайт, т.е. в 8 раз меньше. Следовательно, на рынке будет наблюдается избыточное предложение DRAM.
Что ожидает рынок DRAM?
В целом, все производители DRAMпереходят на различные варианты 30-нм технологии, в том числе Samsung и Hynix. Elpida также пытается совершить прыжок с 65-нм технологии на 30 нм и предложить существенно меньшие цены на свою продукцию.
На рынке DRAM, в отличие от рынка NAND, существует многоуровневая система, однако похоже, что на этом рынке будет сохранена ситуация, когда главенствуют только две корейские компании: Samsung и Hynix.
Сейчас только Samsung и Hynix можно назвать производителями 1-го уровня, обладающими наиболее рентабельной технологией, в то время как Micron, Nanya и Inotera, которые в плане финансов и технологии слегка отстают от лидеров, вероятнее всего занимают 2-й уровень, а Elpida, Powerchip и Rexchip – 3-й уровень.
Samsung несомненно является лидером в области DRAM. Эта компания также контролирует рынок NXT-систем литографии производства компании ASML, которые используются для производства 30-нм DRAM (из-за жестких требований к перекрытию слоев). Этот год был успешным для Samsung, так как они увеличили свою долю на рынке DRAM. По сравнению с мировым ростом производства DRAM на 45-50%, компания Samsung способна показать рост производства DRAM на 70%.
Hynix является компанией 1-го уровня в области DRAM и следует сразу после Samsung. Сейчас единственными проблемами Hynix являются сверхнормативная задолженность и структура собственности, которые, как можно надеяться, будут разрешены в 2011 году. Hynix производит DRAM по 40- и 30-нм технологии в г. Вукси (Китай). В следующем году в компании планируется переход с 8F2-архитектуры на 6F2-архитектуру.
В течение некоторого времени казалось, что компания Micron может попасть в число лидеров и, фактически, оценивалась как компания 1-го уровня в течение некоторого времени в 2009 году. Однако недостаточный выход годных из-за технологических трудностей, с которыми столкнулась компания в 2010 году при выполнении специальных углублений под многоуровневую структуру конденсатора, не позволил Micron догнать лидеров.
Тайваньские партнеры Micron – Nanya и Inotera, ведут борьбу за повышение выхода годных кристаллов при 50-нм технологических нормах. Эта проблема еще более осложнится при переходе на 40 и 30 нм и совершенствовании технологии формирования углублений под многоуровневую структуру конденсатора DRAM . Поэтому возможно этот год будет рассматриваться как год накопления технического опыта, в то время как следующий год будет годом перехода на 40 и 30 нм, так как компания Micron и ее партнеры Nanya и Inotera имеют необходимые средства (от тайваньской бизнес-группы Formosa Plastics) для того, чтобы добиться успеха. Одним из доказательств этого является тот факт, что компания Micron может позволить себе потратить две трети своих капитальных вложений на NAND-память в 2011 году.
Компания Elpida делает все возможное для того, чтобы вернуться в число главных игроков. Субсидии правительства Тайваня на развитие DRAM пока не привели к достижению этой цели, но сотрудничество с компаниями Rexchip, Powerchip, Promos продолжается. Сейчас Elpida пытается достать необходимые средства на финансовых рынках Японии и Тайваня. Кроме того, в сфере технологии компания предложила процесс 65-нмXS, которая является масштабированной версией 65-нм технологии DRAM, которая обеспечила прибыль компании, когда цены были еще на подъеме. Сейчас компания Elpida пытается совершить прыжок к 40- и 30-нм технологии.
Что ожидает рынок NAND?
Как ожидается, 2011 год станет годом NAND-памяти. Хотя большинство устройств NAND производится по 30-нм технологии, поводом для гордости служит переход на 20-нм технологию. Порядка 75% рынка NAND-памяти контролируют два вендора, в том числе Samsung (40%) и Toshiba/Sandisk (33%).
В 2011 году впервые капитальные вложения в NAND-память, скорее всего, превысят капитальные вложения в DRAM.
Аналитики полагают, что для того, чтобы сбалансировать рынок планшетных компьютеров в 2010 году нужно приложить некоторые усилия. Компания Applied Materials Inc. публично объявила, что планирует ввести новое производство мощностью 200 тыс. пластин в месяц для того, чтобы поддержать ожидаемый спрос. Предполагается, что спрос на NAND-память только компании Apple, по крайней мере, удвоится в 2011 году по сравнению с 2010-м годом, а наиболее вероятно он утроится, так как все ноутбуки Macbook в настоящее время оборудуются SSD.
На рынке NAND Samsung, без сомнения, лидер по объему и рентабельности производства, но не всегда эта компания была на переднем крае технологии NAND. Компания Samsung позже остальных приступила к производству многоуровневых элементов памяти. На данный момент компания способна производить кристаллы NAND по 30-нм и 20-нм технологическим нормам. Samsung планирует перейти на выпуск кристаллов по 27-нм нормам в 2011 году, что обеспечит снижение стоимости на 35% по сравнению с 30-нм нормами. В компании ожидают, что устройства, изготовленные по 30-нм нормам и ниже, составят к концу 2010 года 80%.
Компания Toshiba наращивает усилия в области производства по 32-/24-нм нормам, а также начала выпускать свой собственный планшетный компьютер. Toshiba начала 24-нм производство в августе 2010 года. Кроме того, она начала строительство новой фабрики Y5 в июле 2010 года и планируется, что она будет введена в строй весной 2011 года. Важно помнить, что в отличие от фабрики Intel D1X для обработки 450-мм пластин, данное производство компании Toshiba пока не способно поддерживать EUV-оборудование.
Компания Hynix раньше испытывала трудности, связанные с недостаточным выходом годных, в том числе, при 60- и 40-нм технологических нормах. Но в последнее время процент в этом вопросе достигнут прогресс, и компания приближается к лидерам, использующих 30- и 20-нм технологические процессы. Компания планирует перейти на 30-нм, а затем и на 20-нм нормы за сравнительно короткий период времени и ввести новые мощности по производству до 30000 пластин в месяц.
Компания Micron планирует выделить в 2011-м финансовом году капитальные вложения в размере $2,4-2,9 млрд., из которых две трети пойдут на производство NAND-памяти на совместном с Intel предприятии IM Flash Singapore (IMFS). Micron планирует использовать 60% мощности IMFS для производства 100000 пластин в месяц к концу 2011 года. В последнее время компания Micron повысила свое участие в совместном предприятии с примерно 50% до 71%. В IMFS производятся кристаллы NAND, использующие 2-битные многоуровневые элементы памяти (MLC), а не 3-битные MLC, которые разработали Toshiba и Samsung. Ожидается, что Micron достигнет 25-нм норм в 1-м квартале 2011 года.
Виктор Ежов, медиагруппа «Электроника»