Компания Everspin Technologies начала поставки образцов микросхемы энергонезависимой магниторезистивной памяти на основе переноса спиновых состояний ST-MRAM с интерфейсом DDR4 объёмом 1 Гбит – EMD4E001G.

Первая серия испытаний прошла успешно, и теперь микросхема доступна для тестирования заказчикам во всём мире, включая Россию.

Запуск серийного производства запланирован на вторую половину 2019 года.

Ранее производителем была выпущена микросхема ST-MRAM с интерфейсом DDR3 объёмом 256 Мбит, которая успешно интегрировалась во многие проекты, благодаря чему стал возможен выпуск микросхемы с четырёхкратным увеличением плотности – ST-MRAM на 1 Гбит.

Основные характеристики EMD4E001G:

·         объём: 1 Гбит

·         технологический процесс: 28 нм

·         интерфейс: DDR4

·         8-битная и 16-битная версии

·         BGA корпус

Использование ST-MRAM позволяет производителям систем хранения повысить надежность и производительность систем и устройств хранения, обеспечивая защиту от потери напряжения питания без использования суперконденсаторов или батарей.

Компания Everspin разрабатывает и производит следующее поколение энергонезависимой памяти – ST-MRAM. В ней для записи бита информации используется ток, протекающий через структуру ячейки. Микросхема ST-MRAM на 1 Гбит является продолжением семейства микросхем, основанных на переносе спиновых состояний (ST-spin toque). В это семейство также входят микросхемы с объёмом 64 Мбит и 256 Мбит. Производство микросхем ведётся на фабрике ведущего контрактного производителя полупроводниковых микросхем GLOBALFOUNDRIES.