«Ожидается, что память 1 ТБ eUFS будет играть критическую роль в плане поддержки функций уровня ноутбука для нового поколения мобильных устройств, — заявил Чеол Чой, исполнительный вице-президент отдела продаж и маркетинга устройств памяти, Samsung Electronics. — Кроме того, компания Samsung планирует построить надежную цепочку поставок и выделить надлежащие производственные мощности, чтобы обеспечить своевременный выпуск будущих флагманских смартфонов, ускоряя таким образом рост мирового мобильного рынка».
Имея такой же размер пакета (11,5 мм х 13,0 мм), решение 1 ТБ eUFS имеет вдвое большую емкость по сравнению с предыдущей версией 512 ГБ, объединяя 16 пакетированных слоев самых передовых 512-гигабитных чипов флэш-памяти V-NAND от Samsung и новый контроллер собственной разработки. Пользователи смартфонов теперь смогут хранить 260 10-минутных видеороликов в разрешении 4K UHD (3840×2160), в то время как память 64 ГБ eUFS, широко используемая во многих существующих смартфонах топ-уровня, может хранить 13 видеороликов того же размера.
Память 1 ТБ eUFS также обеспечивает исключительную скорость, позволяя пользователям передавать большие объемы мультимедийных данных за существенно меньшее время. Благодаря скорости до 1000 МБ/с новая память eUFS поддерживает скорость последовательного чтения приблизительно в два раза больше типичного 2,5-дюймового твердотельного диска (SSD) SATA. Это означает, что видеоролики 5 ГБ в формате Full HD можно передавать на твердотельный диск NVMe всего лишь за пять секунд, что в 10 раз больше скорости типичной карты microSD. Кроме того, скорость произвольного чтения увеличилась на 38 процентов по сравнению с версией 512 ГБ, обеспечивая до 58 000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS). Скорость произвольной записи в 500 раз больше, чем у высокопроизводительных карт microSD (100 операций ввода-вывода в секунду), достигая показателей в 50 000 операций ввода-вывода в секунду. Скорость произвольной записи позволяет вести высокоскоростную непрерывную съемку 960 кадров в секунду, благодаря чему пользователи смартфонов смогут полноценно использовать многокамерные функции, доступные в текущих и будущих флагманских моделях.
Компания Samsung планирует расширить производство памяти 512 Гб V-NAND пятого поколения на заводе в Пхёнтхэке (Корея) в течение первой половины 2019 года, чтобы полностью удовлетворить ожидаемый активный спрос на память 1 ТБ eUFS со стороны производителей мобильных устройств по всему миру.
24 ноября, 2017