Компания Samsung Electronics Co., Ltd., объявила о начале серийного производства первой в отрасли памяти 32 ГБ DDR4 для игровых ноутбуков в широко распространенном формате SoDIMM. Новые модули SoDIMM базируются на технологическом процессе класса 10 нм, который позволит пользователям играть в продвинутые игры компьютерного класса на ноутбуках, благодаря значительно большей емкости, более высокой скорости и меньшему энергопотреблению.
Используя новое решение памяти, производители ПК могут производить более быстрые игровые ноутбуки топ-класса с большим временем работы от аккумулятора и емкостью, которая превышает возможности традиционных мобильных рабочих станций, сохраняя существующие конфигурации ПК.
«Модули 32 ГБ DDR4 DRAM Samsung позволят играть на ноутбуках в еще более мощные и увлекательные игры, чем когда-либо раньше, — заявил Севон Чжун, старший вице-президент подразделения маркетинга решений памяти, Samsung Electronics. — Мы будем продолжать предлагать наиболее продвинутые решения DRAM с увеличенной скоростью и емкостью для всех ключевых сегментов рынка, включая ноутбуки и настольные ПК премиум-класса».
Если сравнивать с памятью 16 ГБ SoDIMM Samsung на основе 8-гигабитных чипов (Гб) DDR4 класса 20 нм, которая была представлена в 2014 году, новый модуль 32 ГБ имеет вдвое большую емкость, при этом он на 11 % быстрее и имеет энергопотребление примерно на 39 % меньше.
Включая в целом 16 новейших 16-гигабитных (Гб) чипов DDR4 DRAM Samsung (по восемь чипов спереди и сзади), модуль 32 ГБ SoDIMM позволяет игровым ноутбукам достигать скоростей до 2666 Мбит/с.
Ноутбук 64 ГБ, включающий два модуля 32 ГБ DDR4, потребляет менее 4,6 Вт в активном режиме и менее 1,4 Вт в режиме простоя. Это снижает энергопотребление приблизительно на 39 % и более чем 25 % соответственно по сравнению с существующими ведущими игровыми ноутбуками на основе модулей 16 ГБ.
Samsung начала агрессивно расширять свою самую большую в отрасли линейку DRAM класса 10 нм (16 Гб LPDDR4, 16 Гб GDDR5 и 16 Гб DDR4), которая станет началом новой эры памяти 16 Гб DRAM в сегментах мобильных устройств, графики, ПК и серверов, а впоследствии на других рынках, например рынках суперкомпьютеров и автомобильных систем.
* Примечание редактора. Класс 10 нм — это технологический процесс в диапазоне 10–19 нм