Полупроводниковая микроэлектроника – 2024 г. Часть 3. Сверхширокозонные полупроводники как новый класс и этап развития полупроводниковых материалов и приборов

Обзор Дмитрия Боднаря, к.т.н., генерального директора АО «Синтез Микроэлектроника», в журнале «Электронные компоненты» №11/2024

Широкозонные полупроводники (ШЗП) SiC и GaN благодаря высокой энергоэффективности прочно вошли в круг основных материалов полупроводниковой электроники и теснят кремний во многих сферах применения. Но на горизонте появляется группа материалов, обладающих еще более широкой запрещенной зоной и относящихся к категории сверхширокозонных полупроводников (СШЗП). Их уникальные электрофизические свойства позволяют открыть новые области применения в электронике, недоступные даже широкозонным полупроводникам. СШЗП уже заявляют о себе, но, как и ШЗП, должны пройти путь исследований и коммерциализации, хотя и гораздо быстрее.

Обзор по ссылке: https://russianelectronics.ru/poluprovodnikovaya-mikroelektronika-2024-g-chast-3/