Компания Lattice Semiconductor Corporation, ведущий производитель микросхем программируемой логики, анонсирует выпуск новых ПЛИС-платформ LatticeNexusс малым энергопотреблением.

Конструкция платформы обеспечивает энергоэффективную производительность систем, являясь идеальным решением для широкого ряда применений: устройств искусственного интеллекта (ИИ) для интернета вещей, видео, аппаратной защиты, систем машинного зрения, инфраструктур 5G, систем автоматизации для промышленной и автомобильной отраслей. Платформа LatticeNexus использует инновационные решения на каждом уровне проектирования, начиная с разработки и заканчивая схемной архитектурой. Она обеспечивает более высокую производительность системы при значительном снижении энергопотребления.

Платформа удобна и проста в применении, т.к. создана на основе инновационных решений на системном уровне, объединяя в себе программное обеспечение для проектирования и готовые программные IP-блоки с оценочными платами, наборами и образцами для разработки.

На уровне конструкции платформа LatticeNexus оптимизирует производительность системы в условиях меньшего энергопотребления. Так, оптимизация работы DSP-блоков с помощью платформы и увеличение объема памяти микросхемы позволяют осуществлять более эффективные с точки зрения энергозатрат вычисления при использовании, например, алгоритмов логического вывода для ИИ, а также двукратно увеличивают скорость работы при двукратном снижении потребления мощности по сравнению с предыдущими ПЛИС.

LatticeNexusразрабатывается с помощью технологии с полностью обедненным 28-нм кремнием-на-изоляторе (FD-SOI) от Samsung. Технология обеспечивает на 50% меньше утечек от транзистора по сравнению с КМОП ИС на монолитных подложках, а значит, отлично подходит для платформ LatticeNexus с малым потреблением энергии.

Lattice Nexus on FD SOI – Платформа Lattice Nexus на FD SOI

Traditional ПЛИС on bulk – Традиционная ПЛИС на монолитной подложке

Gate – Затвор

Source – Исток

Drain – Сток

Ultra-thin buried oxide – Очень тонкий слой углубленного оксида