12 марта 2019
Новая диодная технология, использованная компанией Infineon в 1200 В TRENCHSTOP™ IGBT7 и EC7 основана на новейшей технологии микрополосковых пазов (trench), которые обеспечивают значительно меньшие потери и обеспечивают высокий уровень управляемости транзистора при больших скоростях переключения.
Предаваемые чипы оптимизирован для применения в модулях промышленных приводов, что означает более жесткие требования и уменьшение потерь, более высокую плотность мощности и более мягкое переключение. Кроме того, путем повышения максимально допустимой рабочей температуры до 175° C в силовом модуле можно получить увеличение выходного тока до 40%.
Основные технические характеристики:
· Самые низкие в отрасли напряжение насыщения для транзистора VCE(sat) и прямого паления напряжение на диоде Vf
· Допустимая рабочая температура кристалла при перегрузке Tvj_op = 175 °C
· Улучшенная управляемость по скорости нарастания dV/dt
· Оптимизированные потери на переключение для dV/dt = 5 кВ/мкс
· Устойчивость к короткому замыканию до 8 мкс
· Улучшена мягкость характеристики переключения защитного антипараллельного диода (FWD)
Преимущества:
· Высокая плотность мощности
· Меньшие по габаритам силовые модули с одинаковым номинальным рабочим током (например, 25A PIM в Easy1B)
· Низкие потери для выполнения требований энергоэффективности
· Оптимизированный компромисс между потерями и электромагнитными помехами (ЭМП)
Области применения:
– Драйверы и приводы
– Индустриальные роботы
– Коммерческие системы кондиционирования воздуха
– Оборудование самолетов гражданской авиации