16 ноября 2017
Alliance Memory анонсировала выпуск микросхемы Low Power SRAM на 64 Мбит с организацией 4М × 16 бит – AS6C6416-55. Микросхема доступна в двух корпусах – TSOP-I 48-pin габаритами 12×20 мм и 48-ball TFBGA. Появление новой микросхемы является ответом Alliance Memory на повышенный спрос разработчиков на продукты семейства Low Power SRAM.
Основные характеристики AS6C6416-55:
· питание от одного источника: 2,7…3,6 В
· рабочий ток: 12 мА
· ток в режиме standby: 12 мкА
· быстродействие: 55 нс
· температурный диапазон: от -40 до +85°C
· TTL-совместимость входов и выходов
· корпус: 48-pin TSOP-I или 48-ball TFBGA
AS6C6416-55 прекрасно подходит для рынка маломощной портативной электроники и промышленной автоматизации, а также телекоммуникационного, медицинского и вещательного оборудования. В том числе в качестве памяти батарейного резервного электропитания. Микросхема AS6C6416-55 полностью pin-to-pin совместима с аналогичными микросхемами других производителей, благодаря чему устраняется необходимость в дорогостоящей модернизации и переразводке платы.
Помимо новой микросхемы на 64 Мбит в семейство Low Power SRAM от Alliance Memory входят микросхемы с плотностью 64 кбит, 256 кбит, 1 Мбит, 2 Мбит, 4 Мбит, 8 Мбит, 16 Мбит и 32 Мбит.
Образцы новой Low Power SRAM микросхемы AS6C6416-55 на 64 Мбит от Alliance Memory доступны уже сегодня.