Ультратонкий пакет 8 ГБ позволяет реализовать более тонкую конструкцию для следующего поколения передовых мобильных устройств

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области современных технологий памяти, сегодня объявила о начале массового производства первого в индустрии модуля памяти DRAM (малое энергопотребление, удвоенная скорость передачи данных, 4х) LPDDR4X 2-го поколения класса 10 нм* (1y нм). Новый модуль повышает эффективность и снижает саморазряд аккумуляторных батарей самых современных на сегодняшний день смартфонов и других мобильных устройств.

По сравнению с часто используемыми в современных мобильных устройствах чипами памяти DRAM (1x нм, 16 ГБ, LPDDR4X) характеристики памяти DRAM LPDDR4X 2-го поколения позволяют снизить энергопотребление на 10 % при той же скорости передачи данных 4266 Мбит/с.

«Внедрение модулей памяти DRAM класса 10 нм позволит значительно расширить применение эффективных решений для нового поколения флагманских мобильных устройств, которые должны впервые выйти на рынок в конце этого или в первом полугодии 2019 года, — сказал Севон Чун (Sewon Chun), первый вице-президент отдела продаж и маркетинга устройств памяти в Samsung Electronics. — Мы продолжим расширять нашу передовую линейку памяти DRAM, чтобы занять лидирующие позиции в сегменте высокопроизводительных, высокоемкостных и энергоэкономичных модулей памяти, чтобы удовлетворить рыночный спрос и укрепить конкурентоспособность нашего бизнеса».

Компания Samsung расширит свою передовую линейку памяти DRAM на основе технологического процесса 1y нм более чем на 70 %. Эта инициатива началась с массового производства первой памяти DRAM для сервера DDR4 класса 10 нм объемом 8 ГБ в конце ноября и продолжается спустя всего восемь месяцев производством данного чипа памяти LPDDR4X 16 ГБ для мобильных устройств.

Компания Samsung объявила о создании пакета памяти DRAM LPDDR4X 8 ГБ с четырьмя чипами DRAM LPDDR4X 16 ГБ класса 10 нм (16 Гб = 2 ГБ). Этот четырехканальный блок может обмениваться данными со скоростью 34,1 ГБ в секунду, его толщина уменьшилась более чем на 20 % по сравнению с пакетом 1-го поколения, позволяя производителям оригинального оборудования (OEM) разрабатывать более тонкие, и в то же время более эффективные мобильные устройства.

Благодаря успехам в области памяти LPDDR4X компания Samsung быстро увеличит на рынке свою долю модулей DRAM для мобильных устройств, выпустив различные изделия большой емкости, в том числе блоки 4 ГБ, 6 ГБ и 8 ГБ LPDDR4X.

Вместе с развертыванием производства памяти LPDDR4X класса 10 нм компания Samsung начала работу над новой производственной линией для памяти DRAM в г. Пхёнтхэк (Корея), чтобы обеспечить стабильные поставки всех чипов DRAM для мобильных устройств в ответ на растущий спрос.

* Класс 10 нм означает технологический процесс в диапазоне 10–19 нм.

ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ: История массового производства компанией Samsung памяти DRAM для мобильных устройств с 2012 года

1)     08.2012   2 ГБ  класс 30 нм         4 ГБ LPDDR3, 1600 Мбит/с

2)     04.2013   2 ГБ  класс 20 нм (2y)  4 ГБ LPDDR3, 2133 Мбит/с

3)     11.2013   3 ГБ  класс 20 нм (2y)  6 ГБ LPDDR3, 2133 Мбит/с

4)     09.2014   3 ГБ  класс 20 нм (2z)  6 ГБ LPDDR3, 2133 Мбит/с

5)     12.2014   4 ГБ  класс 20 нм (2z)  8 ГБ LPDDR4, 3200 Мбит/с

6)     08.2015   6 ГБ  класс 20 нм (2z) 12 ГБ LPDDR4, 4266 Мбит/с

7)     09.2016   8 ГБ  класс 10 нм (1x) 16 ГБ LPDDR4, 4266 Мбит/с

8)     07.2018   8 ГБ  класс 10 нм (1y) 16 ГБ LPDDR4X, 4266 Мбит/с

* 07.2018   В разработке класс 10 нм  8 ГБ LPDDR5, 6400 Мбит/с