Samsung разрабатывает первую в отрасли память DRAM класса 10 нм 3-го поколения для решений памяти премиум-уровня

Компания Samsung Electronics Co., Ltd., объявила о разработке первой в отрасли 8-гигабитной (Гб) памяти DDR4 DRAM класса 10 нм (1z-nm) 3-го поколения. Всего лишь через 16 месяцев после начала серийного производства памяти 8 Гб DDR4 класса 10 нм (1y-nm) 2-го поколения разработка памяти 1z-nm 8 Гб DDR4 без использования процесса EUV (фотолитография в глубоком ультрафиолете) позволила перенести ограничения памяти DRAM…

Нитрид галлиевые CoolGaN™ 600 В e-mode HEMT транзисторы копании Infineon

Основные технические характеристики: Наиболее надежное решение на основе GaN, обеспечивающее высочайшую производительность среди всех доступных устройств этой технологии Многолетний опыт по всей цепочке поставок Глобальная поддержка разработки приложений Широкий ассортимент, включая ключи и драйверы   Конкурентные преимущества: ·         Преимущество в динамических параметрах и показателях качества ·         Надежность затвора, наилучшая для высоких частот переключения ·         Надежность,…

Новые 650 В IGBT транзисторы компании Rohm благодаря мягкому переключению обеспечивают лучшую в своем классе эффективность

21 марта 2019 Компания ROHM объявила о выпуске двух новых типов 650-В IGBT серии RGTV и RGW. Они сочетают в себе лучшие в своем классе потери на проводимость и характеристики переключения. Предлагаемые IGBT также могут быть использованы в составе промышленного оборудования, включая стабилизаторы напряжения, сварочные аппараты и источники бесперебойного питания (ИБП). Всего в серии RGTV…

Новый энкодор iC–MHL100 от компании iC-Haus

Чувствительный элемент этого программируемого энкодера фиксирует изменения в положении магнита с полюсным шагом величиной 1 мм, т. е. с разрешением менее 0,5 мкм. Это новое универсальное устройство совместимо с сертифицированным устройством iC–MHL200, которое работает с полюсным шагом в 2 мм. Таким образом, энкодер iC–MHL100 обеспечивает вдвое большее разрешение без переделки схемы. Устройство iC–MHL100 предназначено для…

DC/DC-преобразователи 4 : 1 компании Recom в компактном корпусе размером всего 1 x 1 дюйм

13 марта 2019 Серии 15-Вт изолированных DC/DC-преобразователей REC15E-Z, выполненных в популярном корпусе размером 1 x 1 дюйма, отличается широким диапазоном входного напряжения и низкой стоимостью. Их использование экономит место на печатной плате, а широкий диапазон входного напряжения увеличивают гибкость в принятии решений при проектировании распределенных систем электропитания, позволяя использовать один и тот же тип DC/DC-преобразователя…

Представляем новые продукты компании C&K

13 марта 2019 Антивандальные выключатели защищены от попыток злоумышленников их повредить, и противостоят таким попыткам. Серия переключателей ATP19/22 компании C&K представляет собой высокопрочные, но легкие, металлические переключатели, которые отвечают требованиям по защите IP67/IK10 (полная защита от пыли и выдерживают кратковременное погружен в воду на глубину до 1 метра / выдерживают падение груза весом 5 кг…

TPD7104AF — Интеллектуальный 60-В драйвер затвора МОП-транзистора высокой мощности от Toshiba

13 марта 2019 Компания Toshiba Electronics Europe представила свой новый драйвер затвора мощного n-канального МОП-транзистора верхнего плеча с управлением от логических сигналов уровня 3,3 В. Драйвер имеет встроенную защиты от короткого замыкания и диагностику, а также возможность предотвращения прохождения обратного тока в случае включения аккумулятора в обратной полярности. Драйвер TPD7104AF предназначен для автомобильной электронике. Благодаря наличию…

Драйвер затворов ключей трехфазного полумоста DGD2136 от компании Diodes упрощает разработку вентильных (BLDC) и бесколлекторных (PMSM) приводов

13 марта 2019 DGD2136S28-13 — представляет собой полностью интегрированное решение драйвера затворов трехфазного полумоста и предназначена для управления N-канальными МОП или IGBT. Плавающие драйверы верхнего плеча и бутстрепное управление силовыми ключами позволяют устройству DGD2136 с помощью простого интерфейса управления со стандартными логическими уровнями 2.4 В коммутировать напряжения до 600 В. Драйвер затворов предназначен для управления…

BGA855N6 — усилитель с низким уровнем шума для низкочастотных L-диапазонов GNSS компании Infineon

13 марта 2019 Малошумящие усилители BGA855N6 специально разработаны для повышения чувствительности при приеме сигналов от систем спутниковой навигации GNSS в диапазонах L2/L5, особенно для систем требующих максимально высокой точности позиционирования Помимо полосы частот GPS L5 и L2, малошумящие усилители BGA855N6 также покрывают полосы частот спутниковых навигационных систем Galileo E5a, E5b, E6, ГЛОНАСС G3, G2 и Beidou B3,…

Конференция «Системы-в-корпусе: проектирование и производство» 28 марта 2019 года

Участниками конференции станут разработчики микросхем, систем-на-кристалле, разработчики электронного оборудования, технологи и директора производств, поставщики технологического оборудования, САПР, производственных услуг. СПИСОК ДОКЛАДОВ КОНФЕРЕНЦИИ: ·         Перспективы использования технологии SiP в России.Сергей Беляков, начальник отдела маркетинга GS Nanotech ·         Перспективные конструктивно-технологические решения для производства систем в корпусе.Сергей Тимошенков, доктор технических наук, профессор, директор Института нано- и микросистемной техники,…