Тиристорам (SCR) по-прежнему нет равных в мегаваттном диапазоне мощности, да и при меньших мощностях они находят широкое применение. Тиристоры на 2 кА и 1,2 кВ используются в приводах электровозов, в системах управления электропечами в алюминиевом производстве и т.д. Эквивалентной схема тиристора приведена на рисунке 1а. Рис. 1 Это устройство находится в выключенном состоянии,…
В этом году Александру Кокину исполнится 45 лет, ГК «Алкон» отпраздновала в октябре 2013 г. 20-летний юбилей, а компания АТТП – свое 10-летие. По словам Александра, его биография малоинтересна. Но судите сами: родился в Ростове-на-Дону, детство провел в Якутии на берегу Алдана, где зимой нередки морозы до –55, а то и до –60°С. Еще во…
Наш собеседник – Андрей Ильич Кучерявый. Ему 44 года. Родился и вырос в Сергиевом Посаде. В 1987 г. поступил в Московский институт электронной техники (МИЭТ), который закончил в 1993 г. по специальности «Проектирование и конструирование интегральных микросхем». С тех пор Андрей Ильич живет и работает в Зеленограде. В 1997 г. он основал компанию «Резонит» и…
В документе ITRS-2013 представлены задачи по созданию более компактных, энергоэффективных и производительных полупроводниковых устройств. Ассоциация Semiconductor Industry Association (SIA), представляющая интересы производителей и разработчиков полупроводниковой продукции, анонсировала ITRS-2013 – Международный план по развитию полупроводниковых технологий (International Technology Roadmap for Semiconductors), в котором оцениваются технические проблемы и возможности развития полупроводниковой отрасли до 2028 г. Поскольку этот…
Форум, организованный нашей медиагруппой «Электроника», прошел 3 апреля в Москве. Программа форума соответствовала его названию. На этом мероприятии был рассмотрен самый широкий круг вопросов – практически ни один аспект производства не остался без внимания. Речь шла даже о промышленном дизайне и подготовке кадров. Последний вопрос был затронут в докладе Владимира Петропавловского, преподавателя МИФИ, а о…
Подбор источника опорного напряжения (ИОН) для АЦП является не менее сложной задачей, чем выбор самого АЦП. Выходное напряжение ИОН (VOUT) равно напряжению полной шкалы (VFSR) преобразователя. В некоторых АЦП VOUT = ½ VFSR, поэтому следует внимательно ознакомиться с документацией. Погрешности опорного источника обусловлены его неточностью, температурным дрейфом параметров и шумовыми характеристиками. Вклад этих факторов должен быть выражен вединицах…
Ток светодиода зависит не только от приложенного напряжения, но и от рабочей температуры. В статье приведена схема, обеспечивающая равный ток на всех включенных параллельно линиях светодиодов. Организация питания массива светодиодов является непростой задачей. Если соединить светодиоды последовательно, то неисправность одного светодиода, во-первых, приведет к отключению всего массива, а во-вторых, требуется высокое напряжение. Если светодиоды соединены…
Предел возможностей компьютеров, основанных на технологиях напыления интегральных микросхем (классических ЭВМ), на практике ограничен физическими габаритами по информационной емкости, паразитными импедансами – по скорости обработки цифровой информации. Даже при переходе на нанотранзисторную основу классические ЭВМ не могут составить конкуренцию квантовым и нейрокомпьютерам, обладающими свойством естественного параллелизма вычислений. При решении большинства практических задач вычислительные системы с…
В качестве источника белого шума можно использовать случайный шум стабилитрона или обратно-смещенного перехода база-эмиттер. Недостатком этих методов является температурная чувствительность и сложность калибровки. Предлагаемый альтернативный подход основан на использовании генератора псевдо-случайной последовательности. После фильтрации выходной сигнал содержит шум, равномерно распределенный по частотному диапазону. Распределение амплитуд шумовых составляющих подчиняется закону Гаусса. Стабильность амплитуды сигнала та же,…
17 февраля 2014 Не всегда эти параметры равнозначны. Произведение полосы пропускания на коэффициент усиления определяется как произведение коэффициента усиления Краз_ос с разомкнутой ОС на полосу пропускания. Данный параметр используется при расчете полосы пропускания при замкнутой ОС. Например, если произведение полосы пропускания на коэффициент усиления равно 1 МГц, а коэффициент усиления с замкнутой ОС равен 10.…