Новый этап перехода на карбидокремниевую технологию в системах электропитания

Новый этап перехода на карбидокремниевую технологию в системах электропитания Орландо Эспарза (Orlando Esparza), менеджер по стратегическому маркетингу, Microchip   Растущий спрос на карбидокремниевую (SiC) технологию позволяет увеличить эффективность современных систем электропитания, уменьшив их размеры, вес и стоимость. Однако SiC-решения не являются заменой кремниевым, и не все они одинаково реализованы. Чтобы воспользоваться преимуществами SiC-технологии, разработчики должны…

Целесообразность перехода с Si-технологии на SiC

Рене Мент (René Mente), ведущий инженер по приложениям, Infineon Technologies   По мере того как карбидокремниевые устройства получают все большее распространение в низковольтных приложениях, необходимо четко понимать, в каких случаях разумнее использовать SiC MOSFET вместо кремниевых ключей. ПДФ версия   Эффективность импульсных источников питания увеличилась благодаря использованию классической кремниевой (Si) технологии MOSFET. Ее возможности возросли…