Новостной бюллетень от Arrow Electronics за март: Низкопрофильные DOSA конверторы – произведены в Европе

1 апреля 2019 Последние инновации компании RECOM позволили увеличить удельную мощность DOSA-DC/DC конвертеров до нового уровня. Модули RPM отличаются исключительным КПД до 99%, позволяя использовать низкопрофильные корпуса в приложениях с повышенными требованиями к габаритам. Новые модули компании RECOM достигли самых высоких показателей по удельной мощности на рынке в DOSA корпусах высотой всего 3,75мм. Выходной ток…

Новостной бюллетень от Arrow Electronics за март: DC/DC конвертеры со входом 12:1 в формате ¼ Brick для железной дороги

1 апреля 2019 Последней разработкой компании RECOM для ЖД индустрии стали два DC/DC конвертера мощностью 40 и 60Вт в стандарте Brick со сверхшироким диапазоном входного напряжения от 14 до 160В. Это делает их универсальным решением для использования на подвижном составе и в высоковольтных аккумуляторных системах. Диапазон входного напряжения 12:1 серий RP40Q-RUW и RP60Q-RUW от RECOM…

Новостной бюллетень от Arrow Electronics за март: Analog Devices представляет платформу аудио-модуля SHARC® для быстрой разработки проектов с цифровым сигнальным процессором (DSP)

25 марта 2019 Компания Analog Devices, Inc. (ADI) объявила о выпуске аудио-модуля SHARC® (ADZS-SC589-MINI), который представляет собой аппаратно-программную платформу, способствующую эффективному прототипированию, разработке и производству различных цифровых аудио продуктов. Предоставляя инновационную комбинацию высокопроизводительных компонентов обработки аудио сигнала и всестороннюю среду разработки программного обеспечения, аудио-модуль SHARC идеально подходит для процессоров эффектов, многоканальных аудиосистем, MIDI-синтезаторов и целого…

Samsung разрабатывает первую в отрасли память DRAM класса 10 нм 3-го поколения для решений памяти премиум-уровня

Компания Samsung Electronics Co., Ltd., объявила о разработке первой в отрасли 8-гигабитной (Гб) памяти DDR4 DRAM класса 10 нм (1z-nm) 3-го поколения. Всего лишь через 16 месяцев после начала серийного производства памяти 8 Гб DDR4 класса 10 нм (1y-nm) 2-го поколения разработка памяти 1z-nm 8 Гб DDR4 без использования процесса EUV (фотолитография в глубоком ультрафиолете) позволила перенести ограничения памяти DRAM…

Нитрид галлиевые CoolGaN™ 600 В e-mode HEMT транзисторы копании Infineon

Основные технические характеристики: Наиболее надежное решение на основе GaN, обеспечивающее высочайшую производительность среди всех доступных устройств этой технологии Многолетний опыт по всей цепочке поставок Глобальная поддержка разработки приложений Широкий ассортимент, включая ключи и драйверы   Конкурентные преимущества: ·         Преимущество в динамических параметрах и показателях качества ·         Надежность затвора, наилучшая для высоких частот переключения ·         Надежность,…

Новые 650 В IGBT транзисторы компании Rohm благодаря мягкому переключению обеспечивают лучшую в своем классе эффективность

21 марта 2019 Компания ROHM объявила о выпуске двух новых типов 650-В IGBT серии RGTV и RGW. Они сочетают в себе лучшие в своем классе потери на проводимость и характеристики переключения. Предлагаемые IGBT также могут быть использованы в составе промышленного оборудования, включая стабилизаторы напряжения, сварочные аппараты и источники бесперебойного питания (ИБП). Всего в серии RGTV…

Новый энкодор iC–MHL100 от компании iC-Haus

Чувствительный элемент этого программируемого энкодера фиксирует изменения в положении магнита с полюсным шагом величиной 1 мм, т. е. с разрешением менее 0,5 мкм. Это новое универсальное устройство совместимо с сертифицированным устройством iC–MHL200, которое работает с полюсным шагом в 2 мм. Таким образом, энкодер iC–MHL100 обеспечивает вдвое большее разрешение без переделки схемы. Устройство iC–MHL100 предназначено для…

Монолитный трансимпедансный усилитель диапазона DC-20 ГГц на основе SiGe BiCMOS технологии Коряковцев А. С., Коколов А. А., Помазанов А. В., Томский го-сударственный университет систем управления и радио-электроники, Лаборатория интеллектуальных компьюте

Ключевые слова: трансимпедансный усилитель, радиофотоника, фотодиод, дифференциальный усилитель, SiGeBiCMOS. 1. Введение Радиофотоника [1-4] – направление, объединяющее в себе радиоэлектронику и оптоэлектронику, за последние 30 лет вызвала огромный интерес как со стороны ученых, так и со стороны коммерческого сектора, и ему предсказывают светлое будущее. Это направление получило такую широкую популярность, с одной стороны, благодаря тому, что…

Цифровые радиоприемники. Шумы. Динамический диапазон. Лучинин А.С., Малыгин И.В., Стариков С.И.,Институт радиоэлектроники и информационных технологий Уральский федеральный университет им. Б.Н.Ельцина

Ключевые слова: радиоприемники, шумы, аналого-цифровое преобразование, динамический диапазон, пороговая чувствительность.   1. Целесообразность и сложность построения цифровых радиоприемников Развитие технологий цифровой обработки сигналов и создания быстродействующих цифровых устройств коренным образом изменило структуру современных радиоприемных устройств. Появились большие возможности по обработке сигналов, по автоматизации управления приемниками [1, 2]. Сложным остался вопрос стыковки аналогового тракта системы связи…

Характеристики мощных СВЧ-фотодиодов с барьером Шоттки на основе InAlAs/InGaAs/InP гетероструктур Журавлев К.С., Валишева Н.А., Аксенов М.С., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Гилинский А.М., Чистохин И.Б., Малышев С.А., Чиж А.Л., Микитчук К.Б. Институт

Чувствительность фотодиодов различного диаметра с поглощающим слоем InGaAs толщиной 640 нм составляет не менее 0.55 А/Вт. Для фотодиодов Шоттки с диаметром 15 мкм предельная частота равна 28 ГГц, максимальная выходная СВЧ-мощность на частоте 20 ГГц составила величину 58 мВт. Ключевые слова: СВЧ-фотодиод, 1.55 мкм, InAlAs/InGaAs/InP, барьер Шоттки, ВАХ, чувствительность, СВЧ-мощность. 1. Введение В аналоговых волоконно-оптических линиях и системах радиофотоники требуются мощные…