SiC MOSFET Infineon FF6MR12W2M1_B11 в полумостовой конфигурации
18 марта 2020 Основные параметрыFF6MR12W2M1_B11: Полумостовая схема FF6MR12W2M1_B11 Основные параметрыFF6MR12W2M1_B11: · напряжение сток–исток: 1200 В; · сопротивление открытого канала при 125°C: 7,38 мОм; · пиковый ток (макс.): 400 А; · заряд затвора: 496 нКл; · длительный ток стока при 125°C: 200 А; · задержка на отпирание при 125°C: 19,3 нс; · время нарастания…