Российские и тайваньские физики создали материал на основе нитрида кремния для высокопроизводительной энергонезависимой резистивной памяти
Фрагмент кремниевой пластины с нанесенным на нее мемристорным материалом, созданным на основе нитрида кремния SiNx Более высокопроизводительное устройство удалось получить, используя технологию физического осаждения из газовой фазы (PVD).Существенное преимущество нитрида кремния перед другими материалами для энергонезависимой памяти — совместимость с традиционным способом производства интегральных схем. Применение нового типа памяти позволит увеличить быстродействие компьютеров,…