AC/DC-преобразователь SDI2006‑U с силовыми GaN FET от CUI

19 марта 2020 Основные параметры SDI2006‑U: AC/DC-преобразователь SDI2006-U   Основные параметры SDI2006‑U: диапазон входного напряжения: 90–264 В (АС); выходные напряжения: 12–56 В в зависимости от модификации; выходной ток (макс.): 3,6–16 А в зависимости от модификации; выходная мощность: 200 Вт; пульсации выходного напряжения: 120–560 мВ в зависимости от модификации; электрическая прочность изоляции: 3000 В (СКЗ); наработка…

Контроллер повышающего преобразователя LTC7804 от Analog Devices

18 марта 2020 Основные параметры LTC7804: Схема включения контроллера LTC7804   Основные параметры LTC7804: диапазон входного напряжения:4,5–40 В; напряжение встроенного ИОН: 1,2 В; диапазон рабочей частоты: 100–3000 кГц, программируется; время включения: 25 нс; время выключения: 15 нс; время открытого состояния (мин.): 80 нс; диапазон рабочей температуры: –40…125°C; корпус: QFN‑16 (3.3 мм).  

Контроллер повышающего преобразователя LTC7804 от Analog Devices

18 марта 2020 Основные параметры LTC7804: Схема включения контроллера LTC7804   Основные параметры LTC7804: диапазон входного напряжения:4,5–40 В; напряжение встроенного ИОН: 1,2 В; диапазон рабочей частоты: 100–3000 кГц, программируется; время включения: 25 нс; время выключения: 15 нс; время открытого состояния (мин.): 80 нс; диапазон рабочей температуры: –40…125°C; корпус: QFN‑16 (3.3 мм).  

P‑канальный MОSFET SiSS05DN от компании Vishay с самым низким сопротивлением открытого канала в отрасли

18 марта 2020 Основные параметры SiSS05DN: Зависимость заряда затвора от напряжения MOSFET SiSS05DN   Основные параметры SiSS05DN: ·         напряжение сток–исток: – 30 В; ·         сопротивление открытого канала: 3,5 мОм; ·         продолжительный ток стока при 25°C (макс.): –108 А; ·         пиковый ток стока в течение 100 мкс (макс.): –300 А; ·         общий заряд затвора: 76 нКл;…

P‑канальный MОSFET SiSS05DN от компании Vishay с самым низким сопротивлением открытого канала в отрасли

18 марта 2020 Основные параметры SiSS05DN: Зависимость заряда затвора от напряжения MOSFET SiSS05DN   Основные параметры SiSS05DN: ·         напряжение сток–исток: – 30 В; ·         сопротивление открытого канала: 3,5 мОм; ·         продолжительный ток стока при 25°C (макс.): –108 А; ·         пиковый ток стока в течение 100 мкс (макс.): –300 А; ·         общий заряд затвора: 76 нКл;…

Семейство полумостовых драйверов BRD1ххх 2- и 3‑фазных бесщеточных электродвигателей постоянного тока от Power Integrations

18 марта 2020 Основные параметры BRD1ххх: Схема включения драйвера BRD1ххх   Основные параметры BRD1ххх: ·         напряжение сток–исток встроенных FREDFET ключей (макс.): 600 В; ·         диапазон рабочей температуры:–40…125°C; ·          корпус: inSOP‑24C.  

Семейство полумостовых драйверов BRD1ххх 2- и 3‑фазных бесщеточных электродвигателей постоянного тока от Power Integrations

18 марта 2020 Основные параметры BRD1ххх: Схема включения драйвера BRD1ххх   Основные параметры BRD1ххх: ·         напряжение сток–исток встроенных FREDFET ключей (макс.): 600 В; ·         диапазон рабочей температуры:–40…125°C; ·          корпус: inSOP‑24C.  

SiC MOSFET Infineon FF6MR12W2M1_B11 в полумостовой конфигурации

18 марта 2020 Основные параметрыFF6MR12W2M1_B11: Полумостовая схема FF6MR12W2M1_B11   Основные параметрыFF6MR12W2M1_B11:   ·          напряжение сток–исток: 1200 В; ·          сопротивление открытого канала при 125°C: 7,38 мОм; ·          пиковый ток (макс.): 400 А; ·          заряд затвора: 496 нКл; ·          длительный ток стока при 125°C: 200 А; ·          задержка на отпирание при 125°C: 19,3 нс; ·          время нарастания…

SiC MOSFET Infineon FF6MR12W2M1_B11 в полумостовой конфигурации

18 марта 2020 Основные параметрыFF6MR12W2M1_B11: Полумостовая схема FF6MR12W2M1_B11   Основные параметрыFF6MR12W2M1_B11:   ·          напряжение сток–исток: 1200 В; ·          сопротивление открытого канала при 125°C: 7,38 мОм; ·          пиковый ток (макс.): 400 А; ·          заряд затвора: 496 нКл; ·          длительный ток стока при 125°C: 200 А; ·          задержка на отпирание при 125°C: 19,3 нс; ·          время нарастания…

SiC MOSFET IMZA65R027M1H семейства CoolSiC от Infineon

18 марта 2020 Основные параметры IMZA65R027M1H: Область безопасной работы MOSFET IMZA65R027M1H     Основные параметры IMZA65R027M1H: ·         напряжение сток–исток: 650 В; ·          сопротивление открытого канала: 27 мОм; ·          пиковый ток (макс.): 184 А; ·          длительный ток стока при 25 и 100°C: 59 и 41 А; ·          устойчивость к изменению напряжения: 200 В/нс; ·          заряд затвора:…