АО «НИИЭТ» продолжает расширять номенклатуру мощных СВЧ GaN-транзисторов.
Предприятие получило патент на топологию 100-ваттной GaN-транзисторной структуры L-, S- диапазонов частот с напряжением питания 28 В со сложной структурой затворной шины. Об этом сообщил технический директор НИИ электронной техники Игорь Семейкин. «С учетом специфики работы СВЧ-схем, в новой конструкции транзисторного кристалла применена инновационная схема расположения балластирующих резисторов для стабилизации параметров и увеличения надежности выпускаемых…