Испытания на устойчивость работы в жестких условиях эксплуатации SiC диодов Шоттки и MOSFET, Амори Гендрон-Хансен (Amaury Gendron-Hansen), Авинаш Кашьяп (Avinash Kashyap), Думитрий Сдрулла (Dumitru Sdrulla), Microsemi
Карбидокремниевые полупроводниковые приборы уже прочно завоевали место под солнцем силовой электроники. На рынке предлагается немалое количество SiC MOSFET и диодов Шоттки не только общего применения, но и для нужд промышленной, а также автомобильной электроники. Эти полупроводниковые приборы отвечают требованиям стандарта AEC-Q101. Ряд компаний тестирует SiC MOSFET и диоды Шоттки с учетом жестких условий эксплуатации, которые…




