P‑канальный MОSFET SiSS05DN от компании Vishay с самым низким сопротивлением открытого канала в отрасли

18 марта 2020 Основные параметры SiSS05DN: Зависимость заряда затвора от напряжения MOSFET SiSS05DN   Основные параметры SiSS05DN: ·         напряжение сток–исток: – 30 В; ·         сопротивление открытого канала: 3,5 мОм; ·         продолжительный ток стока при 25°C (макс.): –108 А; ·         пиковый ток стока в течение 100 мкс (макс.): –300 А; ·         общий заряд затвора: 76 нКл;…

Семейство полумостовых драйверов BRD1ххх 2- и 3‑фазных бесщеточных электродвигателей постоянного тока от Power Integrations

18 марта 2020 Основные параметры BRD1ххх: Схема включения драйвера BRD1ххх   Основные параметры BRD1ххх: ·         напряжение сток–исток встроенных FREDFET ключей (макс.): 600 В; ·         диапазон рабочей температуры:–40…125°C; ·          корпус: inSOP‑24C.  

Семейство полумостовых драйверов BRD1ххх 2- и 3‑фазных бесщеточных электродвигателей постоянного тока от Power Integrations

18 марта 2020 Основные параметры BRD1ххх: Схема включения драйвера BRD1ххх   Основные параметры BRD1ххх: ·         напряжение сток–исток встроенных FREDFET ключей (макс.): 600 В; ·         диапазон рабочей температуры:–40…125°C; ·          корпус: inSOP‑24C.  

SiC MOSFET Infineon FF6MR12W2M1_B11 в полумостовой конфигурации

18 марта 2020 Основные параметрыFF6MR12W2M1_B11: Полумостовая схема FF6MR12W2M1_B11   Основные параметрыFF6MR12W2M1_B11:   ·          напряжение сток–исток: 1200 В; ·          сопротивление открытого канала при 125°C: 7,38 мОм; ·          пиковый ток (макс.): 400 А; ·          заряд затвора: 496 нКл; ·          длительный ток стока при 125°C: 200 А; ·          задержка на отпирание при 125°C: 19,3 нс; ·          время нарастания…

SiC MOSFET Infineon FF6MR12W2M1_B11 в полумостовой конфигурации

18 марта 2020 Основные параметрыFF6MR12W2M1_B11: Полумостовая схема FF6MR12W2M1_B11   Основные параметрыFF6MR12W2M1_B11:   ·          напряжение сток–исток: 1200 В; ·          сопротивление открытого канала при 125°C: 7,38 мОм; ·          пиковый ток (макс.): 400 А; ·          заряд затвора: 496 нКл; ·          длительный ток стока при 125°C: 200 А; ·          задержка на отпирание при 125°C: 19,3 нс; ·          время нарастания…

SiC MOSFET IMZA65R027M1H семейства CoolSiC от Infineon

18 марта 2020 Основные параметры IMZA65R027M1H: Область безопасной работы MOSFET IMZA65R027M1H     Основные параметры IMZA65R027M1H: ·         напряжение сток–исток: 650 В; ·          сопротивление открытого канала: 27 мОм; ·          пиковый ток (макс.): 184 А; ·          длительный ток стока при 25 и 100°C: 59 и 41 А; ·          устойчивость к изменению напряжения: 200 В/нс; ·          заряд затвора:…

SiC MOSFET IMZA65R027M1H семейства CoolSiC от Infineon

18 марта 2020 Основные параметры IMZA65R027M1H: Область безопасной работы MOSFET IMZA65R027M1H     Основные параметры IMZA65R027M1H: ·         напряжение сток–исток: 650 В; ·          сопротивление открытого канала: 27 мОм; ·          пиковый ток (макс.): 184 А; ·          длительный ток стока при 25 и 100°C: 59 и 41 А; ·          устойчивость к изменению напряжения: 200 В/нс; ·          заряд затвора:…

Контроллер синхронного выпрямителя вторичной стороны APR348 от компании Diodes со встроенным линейным стабилизатором напряжения

18 марта 2020 Контроллер работает в режимах непрерывной и прерывистой проводимости. Схема включения контроллера APR348     Основные параметры APR348: ·         диапазон напряжения питания VCC: не более 22 В; ·          время открытия встроенного ключа: 30 нс; ·          время выключения встроенного ключа: 25 нс; ·          вытекающий ток (макс.): 0,6 А; ·          втекающий ток (макс.): 3,5 А;…

Контроллер синхронного выпрямителя вторичной стороны APR348 от компании Diodes со встроенным линейным стабилизатором напряжения

18 марта 2020 Контроллер работает в режимах непрерывной и прерывистой проводимости. Схема включения контроллера APR348     Основные параметры APR348: ·         диапазон напряжения питания VCC: не более 22 В; ·          время открытия встроенного ключа: 30 нс; ·          время выключения встроенного ключа: 25 нс; ·          вытекающий ток (макс.): 0,6 А; ·          втекающий ток (макс.): 3,5 А;…

Microchip расширяет семейство SiC-модулей силовой электроники, позволяющих повысить эффективность, надежность и сократить размеры систем

Спрос разработчиков на карбидо-кремниевые (SiC) системы продолжает быстро расти в стремлении максимально повысить эффективность, уменьшить размеры и вес систем, а также создать инновационные решения для силовой электроники. Область применения SiC-технологии начинается с электромобилей и зарядных станций, а заканчиваются интеллектуальными энергосетями, промышленными и авиационными системами питания. Компания Microchip Technology Inc. (Nasdaq: MCHP) анонсирует пополнение своего ассортимента силовыми…