P‑канальный MОSFET SiSS05DN от компании Vishay с самым низким сопротивлением открытого канала в отрасли
18 марта 2020 Основные параметры SiSS05DN: Зависимость заряда затвора от напряжения MOSFET SiSS05DN Основные параметры SiSS05DN: · напряжение сток–исток: – 30 В; · сопротивление открытого канала: 3,5 мОм; · продолжительный ток стока при 25°C (макс.): –108 А; · пиковый ток стока в течение 100 мкс (макс.): –300 А; · общий заряд затвора: 76 нКл;…