Третий международный форум «Технологии в машиностроении 2014» и Вторая международная выставка вооружения, технологий и инноваций «Оборонэкспо 2014» состоятся на территории аэродрома «Раменское» и ТВК «Россия» в период с 13 по 17 августа. Третий международный форум «Технологии в машиностроении 2014» и Вторая международная выставка вооружения, технологий и инноваций «Оборонэкспо 2014» состоятся на территории аэродрома «Раменское» и…
Процессоры ARM доминируют на рынке медиаустройств. Что следует ожидать в будущем: полное вытеснение архитектуры х86 или разделение областей применения? На вопрос, поставленный в заголовке, нет однозначного ответа. Все зависит от того, какая область рынка имеется в виду. В сфере мобильных устройств и мультимедиа процессор х86 вряд ли имеет будущее. Его прямой конкурент, АRM, имеет гораздо…
Рассеиваемая мощность может увеличить температуру настолько, что она выйдет за пределы рекомендуемых эксплуатационных ограничений и может стать серьезной проблемой для систем с большой плотностью каналов или при эксплуатации в условиях высокой температуры окружающей среды. В качестве примера возьмем ЦАП, который должен обеспечить ток 20 мА на нагрузке в диапазоне от 100 Ом до 1 кОм. В этом случае…
Конференция, организованная нашей медиагруппой «Электроника», прошла в 5 июня Москве. Как и первая конференция, состоявшаяся год назад, нынешняя вызвала живой интерес. В прошлом году в программе преобладали доклады, посвященные граничному сканированию, многие доклады касались технологий JTAG. На этот раз акцент был сделан на входной контроль. Учли мы и специфику отечественного рынка электроники – в программе…
Компания Компэл, совместно с компанией STMicroelectronics, приглашает вас принять участие в семинаре «Новая линейка низкопотребляющих микроконтроллеров STM32L0 на ядре Cortex-M0+», который состоится 24 июня в Москве и 26 июня в Санкт-Петербурге в рамках «ФеSTиваля инноваций». Семинар также будет содержать практическую часть. Программа Начало: 09:30 (начало регистрации: 09:00) Продолжительность: рабочий день с перерывом на обед…
Решить эту проблему можно двумя способами. Первый из них заключается в такой топологии, где проводники пересекаются на двух разных уровнях. Во втором способе два проводника на одном уровне располагаются параллельно друг другу. При двух достаточно близко расположенных проводниках между ними возникает паразитная емкость, которая определяется следующей формулой: C = eRe0A/d, (1) где eR…
Март 2014 года настолько изменил политический ландшафт в России и в мире, что в случае экстремального развития событий это неминуемо затронет отечественную электронную отрасль. Экономические и политические санкции по отношению к России, несмотря на бравые выступления чиновников, могут привести к консервации технического обновления отрасли или к необходимости новой вынужденной перезагрузки микроэлектроники России. Только уже в…
Линейные стабилизаторы (ЛС) напряжения могут использоваться для питания этих схем. Ключом к снижению выходного шума стабилизаторов является ограничение величины усиления шума до значения близкого к единичному. Рисунок ниже, показывает упрощённую структуру типичного ЛС с регулируемым выходом. Выходное напряжение (VOUT)- продукт напряжения опорного источника и усиления по постоянному току усилителя ошибки с замкнутой петлей обратной связи:…
Семинары и тренинги пройдут параллельными секциями в двух залах. Программа мероприятия: ЗАЛ 1 Новинки и Хиты от Texas Instrumens Питание: AC-DC, DC-DC, LDO, E-fuse Интерфейсы: RS-485, Ethernet Phy, изоляторы Микроконтроллеры: MSP430 с FRAM памятью, TIVA Cortex-M, C2000 Беспроводные решения от TI – новинки 2014 года Новые трансиверы диапазонов SUB 1 GHz Бюджетные Wi-Fi-модули…
Потенциал масштабирования планарных кристаллов практически исчерпан, и производители ищут альтернативные способы повышения интеграции. Перспективным решением является переход на объемные структуры. В статье рассмотрена технология изготовления объемных кристаллов NAND, предлагаемая компанией Samsung. За последние 40 лет ячейки памяти изготавливались на основе полевых транзисторов с плавающим затвором. Когда был достигнут технологический уровень 10 нм, появилась проблема дальнейшего…