N‑ канальный MOS FET IQE006NE2LM5 семейства OptiMOS 5 от Infineon

20 апреля 2020 Основные параметры IQE006NE2LM5: Область безопасной работы ключа IQE006NE2LM5   нормируемое нaпряжение сток–исток: 25 В; максимальный длительней ток при 25°C и напряжении затвор–исток 10 В: 298 А; максимальный длительней ток при 100°C и напряжении затвор–исток 10 В: 188 А; энергия лавинного пробоя одиночного импульса: 140 мДж; сопротивление открытого канала: 0,65 мОм; общий заряд…

3‑фазный мостовой модуль IGBT-инвертора FP25R12W1T7_B11 от Infineon

20 апреля 2020 Основные параметры модуля: Схема модуля FP25R12W1T7_B11 напряжение: 1200 В; длительный максимальный ток: 25 А; ток (пик.): 50 А; напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1,6–1,82 В в зависимости от температуры; заряд затвора: 395 нКл; входная емкость: 4,7 нФ; задержка на включение: 0,037–0,04 мкс в зависимости от температуры; время нарастания: 0,02–0,025 мкс в зависимости от температуры;…

3‑фазный мостовой модуль IGBT-инвертора FP25R12W1T7_B11 от Infineon

20 апреля 2020 Основные параметры модуля: Схема модуля FP25R12W1T7_B11 напряжение: 1200 В; длительный максимальный ток: 25 А; ток (пик.): 50 А; напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1,6–1,82 В в зависимости от температуры; заряд затвора: 395 нКл; входная емкость: 4,7 нФ; задержка на включение: 0,037–0,04 мкс в зависимости от температуры; время нарастания: 0,02–0,025 мкс в зависимости от температуры;…

Датчики давления Bourns BPS340

20 апреля 2020 Его основные параметры: Датчики давления BPS340   диапазон напряжения питания: 1,5–15 В; ток потребления при напряжении питания 5 В: не более 3 мА; диапазон измерения давления: 15–500 psi (1 psi = 7 кПа); выходной сигнал: 75, 150, 175 мВ в зависимости от пределов измерения давления; шкала 15 psi: 75±15 мВ; шкала 100…

Датчики давления Bourns BPS340

20 апреля 2020 Его основные параметры: Датчики давления BPS340   диапазон напряжения питания: 1,5–15 В; ток потребления при напряжении питания 5 В: не более 3 мА; диапазон измерения давления: 15–500 psi (1 psi = 7 кПа); выходной сигнал: 75, 150, 175 мВ в зависимости от пределов измерения давления; шкала 15 psi: 75±15 мВ; шкала 100…

Видеоресивер QPB7434 от Qorvo

20 апреля 2020 Основные параметры QPB7434: Структурная схема ресивера QPB7434 диапазон напряжения питания: 4,5–5,5 В; оптический входной диапазон: 2…–20 дБм; усиление: более 25 дБ при 550 МГц; неравномерность амплитудно-частотной характеристики усиления: ±1,5 дБ; полоса частот: 447–1218 МГц; шум: 2,8 пА/√Гц; возвратные потери по входу на частоте 45 МГц: –17 дБ; возвратные потери по входу на…

Видеоресивер QPB7434 от Qorvo

20 апреля 2020 Основные параметры QPB7434: Структурная схема ресивера QPB7434 диапазон напряжения питания: 4,5–5,5 В; оптический входной диапазон: 2…–20 дБм; усиление: более 25 дБ при 550 МГц; неравномерность амплитудно-частотной характеристики усиления: ±1,5 дБ; полоса частот: 447–1218 МГц; шум: 2,8 пА/√Гц; возвратные потери по входу на частоте 45 МГц: –17 дБ; возвратные потери по входу на…

Усилитель класса D FDA901 от STMicroelectronics.

20 апреля 2020 Основные параметрыусилителя: Структурная схема усилителя FDA901. напряжение питания: 14,4 В; выходная мощность (макс.): 4.50 Вт; частота выборки входного сигнала: 44,1; 48; 96; 192 кГц; интерфейс: I2S; КПД: 93%; диапазон рабочей температуры перехода: –40…150°C; корпус: LQFP‑64.    

Усилитель класса D FDA901 от STMicroelectronics.

20 апреля 2020 Основные параметрыусилителя: Структурная схема усилителя FDA901. напряжение питания: 14,4 В; выходная мощность (макс.): 4.50 Вт; частота выборки входного сигнала: 44,1; 48; 96; 192 кГц; интерфейс: I2S; КПД: 93%; диапазон рабочей температуры перехода: –40…150°C; корпус: LQFP‑64.    

Компания Renesas Electronics. Знакомые незнакомцы

    – Начнем интервью с общих сведений о компании. В настоящее время RenesasElectronics– глобальная компания, которая создает инновационные технологии и решения для встраиваемых систем, а также предлагает готовые полупроводниковые решения разного назначения, позволяющие миллиардам устройств надежно работать. Renesas– мировой лидер в области микроконтроллеров, аналоговых и цифровых изделий, компонентов по управлению питанием, систем-на-кристалле (СнК). Мы…