SiCMOSFET на 1700 В от компании Microchip

Замените кремниевые IGBT новыми самыми надежными в отрасли SiCMOSFET на 1700 В   Ассортимент карбидокремниевых изделий с кристаллами 1700-В MOSFET, дискретные приборы и силовые модули позволяют увеличить эффективность и удельную мощность проектируемых приложений   ЧАНДЛЕР (шт. Аризона), 27 июля 2021 г. Все современные энергоэффективные электрические зарядные системы, предназначенные для питания силовых установок коммерческого автотранспорта, а…

Новый этап перехода на карбидокремниевую технологию в системах электропитания

Новый этап перехода на карбидокремниевую технологию в системах электропитания Орландо Эспарза (Orlando Esparza), менеджер по стратегическому маркетингу, Microchip   Растущий спрос на карбидокремниевую (SiC) технологию позволяет увеличить эффективность современных систем электропитания, уменьшив их размеры, вес и стоимость. Однако SiC-решения не являются заменой кремниевым, и не все они одинаково реализованы. Чтобы воспользоваться преимуществами SiC-технологии, разработчики должны…