N‑ канальный SiC MOS FET NTBG020N090SC 1 ON Semiconductor
20 апреля 2020 Основные параметры NTBG020N090SC 1: Область безопасной работы NTBG020N090SC1 нормируемое напряжение сток–исток: 900 В; максимальный длительней ток при 25°C и напряжении затвор-исток 10 В: 112 А; импульсный ток (пик.): 448 А; ток одиночного импульса (пик.): 854 А; энергия лавинного пробоя одиночного импульса: 1 мДж; сопротивление открытого канала: 28 мОм; общий заряд затвора:…