Cобственная технология энергонезависимой магниторезистивной памяти с переносом спинового момента (STT MRAM) от компании «ООО Крокус Наноэлектроника»
По сообщению директора по разработке продуктов Алексея Хвальковского, компания ведёт разработку технологии STT MRAM с 2016-го года, и по последним результатам тестирования инженерных партий пластин с экспериментальными структурами, технологический процесс создания магнитных ячеек памяти с нормами 90 нм удалось довести до уровня, пригодного для коммерциализации данной технологии. «Нами были синтезированы уникальные материалы, позволяющие достичь…