Целесообразность перехода с Si-технологии на SiC

Рене Мент (René Mente), ведущий инженер по приложениям, Infineon Technologies   По мере того как карбидокремниевые устройства получают все большее распространение в низковольтных приложениях, необходимо четко понимать, в каких случаях разумнее использовать SiC MOSFET вместо кремниевых ключей. ПДФ версия   Эффективность импульсных источников питания увеличилась благодаря использованию классической кремниевой (Si) технологии MOSFET. Ее возможности возросли…