Монолитный трансимпедансный усилитель диапазона DC-20 ГГц на основе SiGe BiCMOS технологии Коряковцев А. С., Коколов А. А., Помазанов А. В., Томский го-сударственный университет систем управления и радио-электроники, Лаборатория интеллектуальных компьюте

Нет рубрикиОставить комментарий

Ключевые слова: трансимпедансный усилитель, радиофотоника, фотодиод, дифференциальный усилитель, SiGeBiCMOS. 1. Введение Радиофотоника [1-4] – направление, объединяющее в себе радиоэлектронику и оптоэлектронику, за последние 30 лет вызвала огромный интерес как со стороны ученых, так и со стороны коммерческого сектора, и ему предсказывают светлое будущее. Это направление получило такую широкую популярность, с одной стороны, благодаря тому, что…

Цифровые радиоприемники. Шумы. Динамический диапазон. Лучинин А.С., Малыгин И.В., Стариков С.И.,Институт радиоэлектроники и информационных технологий Уральский федеральный университет им. Б.Н.Ельцина

Нет рубрикиОставить комментарий

Ключевые слова: радиоприемники, шумы, аналого-цифровое преобразование, динамический диапазон, пороговая чувствительность.   1. Целесообразность и сложность построения цифровых радиоприемников Развитие технологий цифровой обработки сигналов и создания быстродействующих цифровых устройств коренным образом изменило структуру современных радиоприемных устройств. Появились большие возможности по обработке сигналов, по автоматизации управления приемниками [1, 2]. Сложным остался вопрос стыковки аналогового тракта системы связи…

Характеристики мощных СВЧ-фотодиодов с барьером Шоттки на основе InAlAs/InGaAs/InP гетероструктур Журавлев К.С., Валишева Н.А., Аксенов М.С., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Гилинский А.М., Чистохин И.Б., Малышев С.А., Чиж А.Л., Микитчук К.Б. Институт

Нет рубрикиОставить комментарий

Чувствительность фотодиодов различного диаметра с поглощающим слоем InGaAs толщиной 640 нм составляет не менее 0.55 А/Вт. Для фотодиодов Шоттки с диаметром 15 мкм предельная частота равна 28 ГГц, максимальная выходная СВЧ-мощность на частоте 20 ГГц составила величину 58 мВт. Ключевые слова: СВЧ-фотодиод, 1.55 мкм, InAlAs/InGaAs/InP, барьер Шоттки, ВАХ, чувствительность, СВЧ-мощность. 1. Введение В аналоговых волоконно-оптических линиях и системах радиофотоники требуются мощные…