Полупроводниковая микроэлектроника – 2017 г. Часть 3. Новые материалы для посткремниевой эпохи – уже настоящее, а не будущее. Дмитрий Боднарь, к.т.н., генеральный директор, АО «Синтез Микроэлектроника»

 Нитрид галлия Если для сверхбольших интегральных схем с проектными нормами менее 7 нм еще только предстоит найти замену кремнию, то в некоторых текущих изделиях силовой электроники это уже удалось с успехом реализовать. Карбид кремния (SiC) считается одним из самых перспективных материалов в силовой электронике. Однако, несмотря на увеличение диаметра пластин SiC в последние годы с…

Полупроводниковая микроэлектроника – 2017 г. Часть 2. Эволюция микроэлектроники бесконечна Дмитрий Боднарь, к.т.н., генеральный директор, АО «Синтез Микроэлектроника»

 Борьба за нанометры и заказчиков на мировом рынке  Кроме преодоления рубежа продаж в 400 млрд долл. (если оно состоится), к главным достижениям мировой микроэлектроники в 2017 г. можно отнести достижения в области 7-нм техпроцесса. Обострившаяся конкуренция за рынки вынудила ведущие мировые компании ускорить эти работы и перейти к коммерциализации этой технологии. В последние годы технологическую…

Полупроводниковая микроэлектроника – 2017 г. Рынок мировой микроэлектроники Дмитрий Боднарь, к.т.н., генеральный директор, АО «Синтез Микроэлектроника»

Девиз мировой микроэлектроники – «Быстрее, меньше, дешевле» Состояние мировой полупроводниковой микроэлектроники в 2017 г. опровергает все прогнозы аналитиков в 2016–2017 гг. [1]. Однако это именно та ситуация, когда ошибками аналитиков могут быть удовлетворены все, начиная с самих аналитиков и заканчивая участниками полупроводникового рынка. Первым это гарантирует работу, а у вторых растет выручка и прибыль. Согласно…