Изучение на практике возможностей гибридных трехуровневых SiC/Si-инверторов Фабио Бруччи (Fabio Brucchi), Клаус Зойб (Klaus Sobe), Давиде Чиола (Davide Chiola), Infineon Technologies Austria

 Топологии Трехуровневые инверторы на основе кремниевых IGBT – стандартное решение, обеспечивающее отличное соотношение цена/качество. В [1–3] рассматриваются технические преимущества этих компонентов над классическим двухуровневым инвертором B6 (см. рис. 1а), который позволяет уменьшить коммутационные потери и улучшить фильтрацию за счет более сложной схемы. К двум стандартным трехуровневым схемам для приложений малой и средней мощности относятся диодная…