Samsung память DRAM HBM2 ёмкостью 8 Гбайт от компании Samsung

24 июля 2017 Компания Samsung Electronics, объявила об увеличении объемов производства 8-гигабайтной (ГБ) памяти High Bandwidth Memory-2 (HBM2) Память 8 ГБ HBM2 от Samsung обеспечивает максимальный в отрасли уровень производительности, надежности и энергоэффективности на основе технологии HBM2, что лишний раз подчеркивает стремление компании к инновациям в сфере DRAM. Помимо технологий HBM2 и TSV (Through Silicon…

Определена основная тема Международного Форума «Микроэлектроника 2017»

20 июля 2017 Со 2 по 7 октября 2017 года, в Алуште (Республика Крым), пройдет Третий Международный форум «Микроэлектроника 2017». Форум организован ведущими институтами и дизайн-центрами страны: АО «НИИМА «Прогресс», АО «НИИМЭ», НИУ МИЭТ В соответствии с поставленными задачами Президента России В.В. Путина,  основной темой Международного Форума «Микроэлектроника 2017» станет развитие цифровой экономики в России.…