Объемные кристаллы памяти

Потенциал масштабирования планарных кристаллов практически исчерпан, и производители ищут альтернативные способы повышения интеграции. Перспективным решением является переход на объемные структуры. В статье рассмотрена технология изготовления объемных кристаллов NAND, предлагаемая компанией Samsung. За последние 40 лет ячейки памяти изготавливались на основе полевых транзисторов с плавающим затвором. Когда был достигнут технологический уровень 10 нм, появилась проблема дальнейшего…